(с затвором)
1Биполярный транзистор с изолированным затвором — Силовая сборка на IGBT IGBT (англ. Insulated Gate Bipolar Transistor биполярный транзистор с изолированным затвором) силовой электронный прибор, предназначенный в основном, для управления электрическими приводами. Выпускаются как отдельные IGBT… …
2МОП-структура с нижним затвором — MOP darinys su apatine užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. back gate MOS structure vok. Back Gate MOS Struktur, f; MOS Struktur mit rückwärtigem Substratanschluß, f rus. МОП структура с нижним затвором, f pranc. structure …
3полевой транзистор с гребенчатым затвором — lauko tranzistorius su šukine užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. multiple gate finger field effect transistor vok. Doppelkammgate Feldeffekttransistor, m rus. полевой транзистор с гребенчатым затвором, m pranc.… …
4полевой транзистор с затвором Шотки — Šotkio lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal Schottky field effect transistor; metal semiconductor field effect transistor; Schottky barrier gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit… …
5полевой транзистор с противоположно расположенными затвором и истоком — lauko tranzistorius su priešinėmis užtūra ir ištaka statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. opposed gate source transistor vok. Feldeffekttransistor mit einander gegenüberliegenden Gate und Source, m rus. полевой транзистор с… …
6полевой транзистор с изолированным затвором — lauko tranzistorius su izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. insulated gate FET; insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate, m; Isolierschicht Feldeffekttransistor, m rus …
7полевой транзистор с изолированным кремниевым затвором — lauko tranzistorius su izoliuota silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon insulated gate FET; silicon insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Si Gate, m rus. полевой… …
8полевой транзистор с резистивным изолированным затвором — lauko tranzistorius su varžine izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. resistive insulated gate FET; resistive insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Widerstandsgate, m rus.… …
9полевой транзистор с самосовмещённым затвором — lauko tranzistorius su susitapatinančia užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit selbstjustiertem Gate, m rus. полевой транзистор с самосовмещённым… …
10полевой транзистор со смещённым затвором — lauko tranzistorius su paslinkta užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. offset gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit verschobenem Gate, m rus. полевой транзистор со смещённым затвором, m pranc.… …
