(на арсениде галлия)
1логический элемент на арсениде галлия — loginis galio arsenido elementas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. GaAs logic gate vok. GaAs Logikgatter, n; Galiumarsenid Logikgatter, n rus. логический элемент на арсениде галлия, m pranc. porte logique en GaAs, f …
2полевой транзистор на арсениде галлия — galio arsenido lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gallium arsenide field effect transistor vok. Galiumarsenid Feldeffekttransistor, m rus. полевой транзистор на арсениде галлия, m pranc. transistor à effet… …
3логическая схема на арсениде галлия — loginis galio arsenido grandynas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gallium arsenide logic vok. Galliumarsenidlogik, f rus. логическая схема на арсениде галлия, f pranc. logique en arséniure de gallium, f …
4ИНДИЯ ФОСФИД — ИНДИЯ ФОСФИД, InP, монокристаллический полупроводниковый материал, относящийся к классу соединений AIIIBV. Монокристаллы фосфида индия имеют наибольшие перспективы широкого промышленного производства и применения после арсенида галлия (см. ГАЛЛИЯ …
5МИКРОДЕФЕКТЫ — в полупроводниках (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ), любые локальные нарушения периодичности кристаллической структуры размером от сотых долей до нескольких десятков мкм, выявляемые с помощью прямых методов наблюдения (оптических или дифракционных). Для… …
6ATM — У этого термина существуют и другие значения, см. ATM (значения). ATM (англ. Asynchronous Transfer Mode  асинхронный способ передачи данных)  сетевая высокопроизводительная технология коммутации и мультиплексирования, основанная на …
7Леговец, Курт — Курт Леговец Kurt Lehovec Дата рождения: 12 июня 1918(1918 06 12) Место рождения: Ледвице  …
8ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ — ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ, нарушения кристаллической структуры, размеры которых во всех трех измерениях сравнимы с одним или несколькими междуатомными расстояниями. Точечный дефект может иметь простую или сложную структуру. Виды точечных дефектов Вакансия …
9Ганна диод — полупроводниковый прибор, работа которого основана на Ганна эффекте. Основным элементом Г. д. является полупроводниковый кристалл из арсенида галлия, фосфида индия или др. толщиной от единиц до сотен мкм, к которому присоединены 2… …
10Наследов, Дмитрий Николаевич — (12.VIII.1903 8.I.1975) советский физик. Р. в Киеве. Окончил Киевский ун т (1924). В 1924 30 работал в Украинском рентгенологическом ин те, с 1930 в Ленинградском физико техническом ин те и Политехническом ин те (с 1934 профессор). Работы… …
