(кристалла)
101способ кристалла ИС с большими ячейками — didžiųjų narvelių būdas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. macrocell approach vok. Makrozellentechnik, f rus. способ кристалла ИС с большими ячейками, m pranc. technique de macrocellule, f …
102маркировка дефектного кристалла ИС — defektinio lusto ženklinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. defect chip marking; reject chip marking vok. Markierung von Ausschußchips, f rus. маркировка дефектного кристалла ИС, f pranc. marquage de puce rebutée, m …
103способ базового кристалла ИС с МОП-ячейками — pamatinio lusto su MOP dariniais būdas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. masterslice MOS approach vok. Master MOS Verfahren, n rus. способ базового кристалла ИС с МОП ячейками, m pranc. technique de tranche maître à structure… …
104способ базового кристалла ИС — pamatinio lusto būdas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. masterslice approach vok. Master Slice Technik, f; Universalschaltkreistechnik, f rus. способ базового кристалла ИС, m pranc. technique de tranche maître, f …
105держатель кристалла ИС с многоуровневыми соединениями — lusto su daugiasluoksniais sujungimais laikiklis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. multilayer chip carrier vok. Mehrebenenchipträger, m rus. держатель кристалла ИС с многоуровневыми соединениями, m pranc. support de puce à… …
106навесной резистор кристалла ИС — išorinis lusto varžas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. off chip resistor vok. chipexterner Widerstand, m; Off Chip Widerstand, m rus. навесной резистор кристалла ИС, m pranc. résistance pendue de puce, f …
107заготовка кристалла ИС — lusto ruošinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. quick chip vok. Quickchip, n; Rohchip, n rus. заготовка кристалла ИС, f pranc. puce de base, f …
108нарезание кристалла — kristalo pjaustymas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. crystal dicing vok. Ritzen der Scheiben, n rus. нарезание кристалла, n pranc. sciage du cristal, m …
109площадь кремниевого кристалла ИС — silicio lusto plotas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon chip area vok. Siliziumchipfläche, f rus. площадь кремниевого кристалла ИС, f pranc. surface de la puce de silicium, f …
110углубление для кристалла ИС в корпусе — korpuso įduba lustui statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. chip cavity vok. Versenkung für Chipaufnahme, f rus. углубление для кристалла ИС в корпусе, n pranc. cavité pour la puce, f …