(для пластин)
11поточная линия для обработки фотополимерных пластин — Автоматизированная поточная линия для вымывания, сушки и дополнительного экспонирования фотополимерных пластин. [ГОСТ Р 51205 98] Тематики полиграфия …
12процессор для обработки офсетных пластин — Установка для физико химической обработки офсетных формных пластин после их экспонирования. [ГОСТ Р 51205 98] Тематики полиграфия …
13Р 78.36.017-2010: Рекомендации по выбору и применению замков для защитных конструкций — Терминология Р 78.36.017 2010: Рекомендации по выбору и применению замков для защитных конструкций: Аварийный (запасный) выход: выход, предназначенный для быстрого покидания зданий, помещений в случае возникновения чрезвычайных ситуаций людьми,… …
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
14Зернение формных пластин — увеличение удельной поверхности офсетных формных пластин химическим, электрохимическим или механическим способами. Ранее, при повторном использовании офсетных формных пластин механический способ зернения с помощью керамических или стеклянных… …
15основа для бумажных офсетных пластин — Плотная высококлееная бумага с высокой влагопрочностью, с ограниченными показателями удлинения и остаточной деформации, для изготовления печатных форм. [ГОСТ 17586 80] Тематики бумага и картон EN offset plates base paper DE Offsetplatten… …
16процессор для обработки формных пластин — Автоматизированное устройство для нормализованной химической обработки формных пластин после экспонирования …
17кассета для обработки пластин в диффузионной печи — difuzijos krosnies plokštelių kasetė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. diffusion step carrier vok. Diffusionsofenkassette, f rus. кассета для обработки пластин в диффузионной печи, f pranc. cuvette pour traitement des tranches …
18выравнивание поверхности пластин для больших интегральных схем — didelės integracijos grandynų plokštelių paviršiaus išlyginimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. large scale integration wafer surface leveling vok. Einebnen der Oberfläche von Halbleiterscheiben bei der Herstellung der LSI… …
19плазменный реактор для оксидирования пластин — plazminis plokštelių oksidavimo reaktorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gas plasma oxidizing reactor vok. Gasplasmaoxydationsreaktor, m rus. плазменный реактор для оксидирования пластин, m pranc. réacteur de plasma pour… …
20плазменный реактор для групповой обработки пластин — plazminis plokštelių grupinio apdorojimo reaktorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. multiwafer plasma processing reactor vok. Plasmareaktor für simultane Waferbehandlung, m rus. плазменный реактор для групповой обработки… …