Антимонид индия


Антимонид индия
Антимонид индия(III)
Антимонид индия: химическая формула
Антимонид индия: вид молекулы
Общие
Химическая формула InSb
Физические свойства
Состояние (ст. усл.) темно-серый серебристый металл
Молярная масса 236.578 г/моль
Плотность жидкого (при 550 °C) 6,430 г/см³; в обычном состоянии 5,775 г/см³
Термические свойства
Температура плавления 525,2 °C
Молярная теплоёмкость (ст. усл.) 49,56 Дж/(моль·К)
Теплопроводность (ст. усл.) 30-40[1] Вт/(м·K)
Энтальпия образования (ст. усл.) -30,66 кДж/моль
Химические свойства
Растворимость в воде нерастворим
Оптические свойства
Показатель преломления 4.0
Структура
Координационная геометрия четырехгранная
Кристаллическая структура кубическая структура сфалерита (а = 0,647877 нм, z = 4, пространств. группа F43m), цинковой обманки
Классификация
Рег. номер CAS 1312-41-0

Антимонид индия — кристаллическое бинарное неорганическое химическое соединение, соединение индия и сурьмы. Химическая формула InSb.

Используется в полупроводниковых инфракрасных фоточувствительных датчиках, например, головках ИКГСН, для самонаведения ракет по ИК-излучению цели, в инфракрасной астрономии.

Детекторы на основе InSb чувствительны к ближнему ИК-диапазону электромагнитных волн с длиной волны 1-5 мкм.

InSb недавно широко использовался в "точечных" детекторах оптико-механических сканирующих систем тепловидения.

Содержание

История получения

Крупные монокристаллы антимонида индия впервые были выращены при медленном охлаждении из расплава не позднее 1954 года[2].

Свойства

Является узкозонным прямозонным полупроводником группы AIIIBV с шириной запрещённой зоны 0.17 эВ при 300 K и 0,23 эВ при 80 K, также 0,2355 эВ (0 К), 0,180 эВ (298 К); эффективная масса электронов проводимости те = 0,013m0, дырок тр = 0,42m0 (m0 — масса свободного электрона); при 77 К подвижность электронов 1,1·106 см²/(В·с), дырок 9,1·103 см²/(В·с).

Физические свойства и использование

Антимонид индия имеет вид темно-серого серебристого металла или порошка со стекловидным блеском. Плавится при температурах свыше 500 °C, при этом сурьма в виде пара и ее оксиды (при разложении InSb на воздухе) улетучиваются. Кристаллическая структура типа цинковой обманки, с постоянной кристаллической решётки 0,648 нм.

Нелегированный антимонид индия обладает самой высокой подвижностью электронов (около 78000 см²/(В·с)), а также имеет самую большую длину свободного пробега электронов (до 0,7 мкм при 300 K) среди всех известных полупроводниковых материалов, за исключением, возможно, углеродных материалов (графен, углеродные нанотрубки).

Антимонид индия используется в инфракрасных фотодетекторах. Обладает высокой квантовой эффективностью (порядка 80-90 %). Недостатком является высокая нестабильность: характеристики детектора, как правило, дрейфуют во времени. Из-за этой неустойчивости, детекторы редко используются в метрологии. Из-за узости запрещенной зоны, детекторы, в которых, в качестве полупроводникового материала применяется антимонид индия, требуют глубокое охлаждение, так как они могут работать только при криогенных температурах (как правило, 77 K — температура кипения азота при атмосферном давлении). Созданы фотоприемные матрицы с достаточно высоким разрешением (до 2048x2048 пикселей). Вместо антимонида индия в фотоприемниках могут быть использованы HgCdTe и PtSi.

Тонкий слой InSb между двумя слоями антимонида алюминия-индия проявляет свойства квантовой ямы. Такие слоистые структуры используются для создания быстродействующих транзисторов, работающих в СВЧ-диапазоне волн вплоть до миллиметрового. Биполярные транзисторы, работающие на частотах до 85 ГГц были созданы из антимонида индия в конце 1990-х. Полевые транзисторы, работающие на частотах более чем в 200 ГГц появились недавно (Intel/QinetiQ). Недостаток таких транзисторов — необходимость глубокого охлаждения, как и для всех приборов на основе InSb. Полупроводниковые приборы из антимонида индия также способны работать при напряжении питания менее 0,5 V, это позволяет снизить энергопортебление электронных устройств.

Получение

Выращивание монокристаллов

Крупные совершенные кристаллы InSb могут быть выращены путём отверждения расплава по методу Чохральского в атмосфере инертного газа (Ar, He, N2) или водорода при пониженном давлении (примерно 50 кПа). Также, путём жидкофазной эпитаксии, эпитаксии по методу горячей стенки, молекулярно-пучковой эпитаксии. Они также может быть выращены при разложениии металлоорганических соединений индия и сурьмы методом ОМСИГФ.

Синтез

InSb получают сплавлением индия с сурьмой в кварцевом контейнере в вакууме (~0,1 Па) при 800—850 °C. Очищают зонной плавкой в атмосфере водорода.

Использование

Антимонид индия применяется для изготовления туннельных диодов: по сравнению с германиевыми, диоды из антимонида индия обладают лучшими частотными свойствам при низких температурах. Антимонид индия используют для изготовления фотоэлементов высокой чувствительности, датчиков Холла, оптических фильтров и термоэлектрических генераторов и холодильников.[3] Используется для создания детекторов инфракрасного излучения (фотодиодов, фоторезисторов). Также применяется в следующих устройствах:

  • тепловизорные детекторы созданные на основе фотодиодов и фотомагнитных детекторов,
  • датчики магнитного поля, использующие магнитосопротивление и эффект Холла,
  • быстродействующие транзисторы (англ. fast transistors).

Примечания

  1. Сайт о химии. Архивировано из первоисточника 30 марта 2012. Проверено 1 апреля 2010.
  2. Avery, D. G.; Goodwin, D. W.; Lawson, W. D.; Moss, T. S. Optical and Photo-Electrical Properties of Indium Antimonide (англ.) // Журнал Proceedings of the Physical Society Section B : статья. — 1954. — В. 67. — С. 761. — DOI:10.1088/0370-1301/67/10/304
  3. Сайт megabook.ru. Архивировано из первоисточника 30 марта 2012. Проверено 1 апреля 2010.

Wikimedia Foundation. 2010.

Смотреть что такое "Антимонид индия" в других словарях:

  • ИНДИЯ АНТИМОНИД — ИНДИЯ АНТИМОНИД, InSb, монокристаллический полупроводниковый материал, относящийся к классу соединений AIIIBV. Кристаллизуется в решетке типа сфалерита (см. типы кристаллических структур (см. СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ КРИСТАЛЛОВ)). Антимонид индия не… …   Энциклопедический словарь

  • Антимонид галлия — Общие Химическая формула GaSb Физические свойства Состояние (ст. усл.) твердый Молярная масса 191.483 г/моль …   Википедия

  • Антимонид цинка — Общие Химическа …   Википедия

  • индия(III) антимонид — indžio(III) antimonidas statusas T sritis chemija formulė InSb atitikmenys: angl. indium stibide; indium(III) antimonide rus. индия(III) антимонид ryšiai: sinonimas – indžio stibidas …   Chemijos terminų aiškinamasis žodynas

  • ИНДИЯ АРСЕНИД — InAs, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита ( а =0,605886 нм, z =4, пространств. группа F43m); т. пл. 943 °С; плотн. 5,666 г/см 3, жидкого 5,850 г/см 3 (970 °С); С 0p49,32 Дж/(моль. К); DH0 пл 77,2… …   Химическая энциклопедия

  • ИНДИЯ ФОСФИД — InP, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а= 0,586875 нм, z = 4, пространств. группа F43m); т. пл. 1070°С; плотн. 4,787 г/см 3; С°p46,2 Дж/(моль. К); DH0 пл 54,6 кДж/моль, DH0 обр Ч 90,3 кДж/моль; 0,07m0 …   Химическая энциклопедия

  • ИНДИЯ АНТИМОНИД — InSb, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита ( а =0,647877 нм, z= 4, пространств. группа F43m): т. пл. 525,2 °С; плотн. 5,775 г/см 3, жидкого 6,430 г/см 3 (550 °С); С 0p49,56 Дж/(моль. К); DH0 пл 65,35… …   Химическая энциклопедия

  • Арсенид индия — Общие Химическая формула InAs Физические свойства Молярная масса 189.74 г/моль Плотность 5.68 г/см³ …   Википедия

  • Фосфид индия — Общие Химическая формула InP Физические свойства Молярная масса 145.79 г/моль Плотность 4.81 г/см³ …   Википедия

  • Нитрид индия(III) — Общие Систематическое наименование Нитрид индия(III) Химическая формула InN Физические свойства Состояние (ст. усл.) черные кристаллы …   Википедия


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»

We are using cookies for the best presentation of our site. Continuing to use this site, you agree with this.