Полупроводник n-типа

Схематическое изображение кремния с донорной примесью фосфора

Полупроводники n-типа — полупроводник, в котором основные носители заряда — электроны проводимости.

Для того, чтобы получить полупроводник n-типа, собственный полупроводник легируют донорами. Обычно это атомы, которые имеют на валентной оболочке на один электрон больше, чем у атомов полупроводника, который легируется. При не слишком низких температурах электроны и со значительной вероятностью переходят с донорных уровней в зону проводимости, где их состояния делокализованы и они могут вносить вклад в электрический ток.

Число электронов в зоне проводимости зависит от концентрации доноров, энергии донорных уровней, ширины запрещенной зоны полупроводника, температуры, эффективной плотности уровней в зоне проводимости.

Обычно легирование проводится до уровня 10¹³-10¹⁹ доноров в см³. При высокой концентрации доноров полупроводник становится вырожденным.

См. также

• p-n переход