Модель МОП-транзистора ЭКВ

ЭКВ — математическая модель МОП-транзистора (MOSFET), предназначенная для использования в программах схемотехнического моделирования и проектирования интегральных схем (analog circuit).^[1] Модель была разработана С. С. Энцем, Ф. Круменахером и Е. А. Виттосом (название модели составлено из первых букв фамилий авторов) в 1995 года, когда же основа модели была заложена в 1980-х годах.^[2] В отличие от моделей с квадратичным уравнением (Quadratic Model), модель ЭКВ отличается точностью также в подпороговой области работы МОП-транзистора (например, если V_bulk=V_source тогда МОП-транзистор находится в подпорговой области V_gate-source < V_Threshold). Кроме того, модель ЭКВ содержит много дополнительных специализированных эффектов, которые важны при проектировании микро- и субмикро-нных (submicrometre КМОП) интегральных схем (IC).

Ссылки

1. ↑ Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "«An Analytical MOS Transistor Model Valid in All Regions of Operation and Dedicated to Low-Voltage and Low-Current Applications»", Analog Integrated Circuits and Signal Processing Journal on Low-Voltage and Low-Power Design Т. 8: 83-114, July 1995 
2. ↑ Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "«A CMOS Chopper Amplifier»", IEEE Journal of Solid-State Circuits Т. 22 (3): 335-342, June 1987 

См. также

• Transistor models
• MOSFET
• Ngspice
• SPICE
• BSIM4

Ссылки

• Web Page of Christian Enz [1]
• Web Page of François Krummenacher [2]
• About Eric Vittoz [3]
• Main Web Page for the EKV Model [4]