БСИТ

БСИТ (Биполярный транзистор со статической индукцией; англ. BSIT, Bipolar Static Induction Transistor) — мощный высокочастотный полупроводниковый прибор с вертикальной многоканальной структурой. БСИТ не является русскоязычным синонимом IGBT (БТИЗ), тем не менее, близок к ним по свойствам. Выпускаемые образцы БСИТ уступают лучшим современным образцам IGBT по энергетическим характеристикам.

Обладает преимуществами, по сравнению с биполярными транзисторами: более высокими граничной частотой и коэффициентом усиления. Применяется в быстродействующих ключевых схемах и импульсных источниках питания. Среднее время переключения составляет 250—150 нс. Максимальное допустимое напряжение Сток-Исток для некоторых моделей достигает 900 В. Изобретён во второй половине 70-х годов.

См.также

• Биполярный транзистор
• IGBT

Ссылки

• [1]

Связать^?

На эту статью не ссылаются другие статьи Википедии. Пожалуйста, воспользуйтесь подсказкой и установите ссылки в соответствии с принятыми рекомендациями.