Дельта-легирование

Дельта-легирование англ. delta-doping или англ. δ-doping — внедрение тонкого легированного слоя в полупроводниковые кристаллы в полупроводниках выращенных эпитаксиальными методами. Для внерения легирующей примеси процесс роста останавливают и запускают газ с примесью. Толщина слоя составляет порядка 1 нм. Типичным примером δ-легирования является кремний (n-тип примеси) и бериллий (p-тип примеси) в GaAs/AlGaAs гетероструктурах с двумерным электронным газом (ДЭГ).^[1] Дельта слой отделён от ДЭГ нелегированной областью называемой спэйсером. В таких структурах можно получить высокоподвижный ДЭГ с большей концентрацией, чем в однородно легированных полупроводниках^[2].

Примечания

1. ↑ Harris J. J. Delta-doping of semiconductors // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. — 1993. — Т. 4. — С. 93—105. — DOI:10.1007/BF00180462
2. ↑ Дельта-легирование полупроводников = Delta-doping of semiconductors / Edited by E. F. Schubert. — New York: Cambridge University Press, 1996. — С. 7. — 616 с.

Связать^?

На эту статью не ссылаются другие статьи Википедии. Пожалуйста, воспользуйтесь подсказкой и установите ссылки в соответствии с принятыми рекомендациями.