Обращённый диод

Вольт-амперная характеристика обращённого диода (сплошная линяя), и туннельного диода (пунктирная)

Обращённый диод — полупроводниковый диод, на свойства которого значительно влияет туннельный эффект в области p-n перехода.^[1] В отличие от туннельного диода вольт-амперная характеристика обращённого диода практически не имеет «горба», что обусловлено немного меньшей, чем у туннельного диода, концентрацией примесей в полупроводнике.^[2] Из-за неполного легирования обладает значительной температурной зависимостью.^[2][3]

Применение

Обозначение на схемах. От катода к аноду — прямое (проводящее) направление тока. От анода к катоду — обратное (запирающее) направление тока.^[3]

Обращённый диод применяется в высокочастотных схемах детектирования слабых сигналов, а также в смесителях СВЧ сигналов.^[1] При этом максимальное рабочее обратное напряжение может лежать в пределах от 0,1 до 0,7 В.

Примечания

1. ↑ ^{1 2} Ю. Р. Носов. Полупроводниковый диод. БСЭ
2. ↑ ^{1 2} Физика туннельного диода. www.physicref.ru
3. ↑ ^{1 2} И. К. Насыров, Л. М. Урманчеев, М. И. Нургалиев, Н. Б. Куншина. "Исследование полупроводниковых двухполюсников" /Казан. гос. техн. унт