Память с ловушкой заряда

Charge Trap Flash(CTF)(память с ловушкой заряда) - технология производства компьютерной памяти, разработанная компанией Samsung и представленная в 2006 году. Данная технология обеспечивает значительное уменьшение электромагнитного шума в кристалле во время передачи данных, благодаря чему она сможет применяться при построении флэш-памяти выполненной по 30 и даже 20 нанометровому технологическому процессу.

Ссылки

• Компания Samsung представила карты памяти ёмкостью 16, 32 и 64 ГБ
• BE-SONOS: технология Macronix для простого производства 45-нм флэш-памяти
• Samsung меняет законы рынка flash-памяти, выпуская 32-гигабайтные карты памяти на основе 40-нанометровой технологии

См. также

• Энергонезависимая память
• NAND