Николай Михайлович Олехнович

Николай Михайлович Олехнович
Мікалай Міхайлавіч Аляхновіч
Дата рождения:	2 мая 1935
Место рождения:	д. Вороничи, Гродненская область
Гражданство:	СССР Беларусь
Научная сфера:	Физика твердого тела
Место работы:	Физико-технический институт АН БССР Институт физики твердого тела и полупроводников АН Беларуси
Альма-матер:	Белорусский государственный университет

Николай Михайлович Олехнович (белор. Мікалай Міхайлавіч Аляхновіч, 2 мая 1935, д. Вороничи, Гродненская область) — советский и белорусский физик, академик Национальной академии наук Беларуси (1996; член-корреспондент с 1989), доктор физико-математических наук (1988), профессор (1991). Заслуженный деятель науки Республики Беларусь (1999).

Биография

Олехнович родился в деревне Вороничи (Слонимский район, Гродненская область) в крестьянской семье. После окончания в 1957 физико-математического факультета БГУ он работал в Физико-техническом институте АН БССР, а с 1959 - в Отделе физики твердого тела и полупроводников АН БССР, который вскоре был преобразован в Институт физики твердого тела и полупроводников АН БССР. В 1968-89 он возглавлял лабораторию, а с 1993 по 2004 был директором этого института. Одновременно в 1997-2002 он выполнял обязанности академика-секретаря Отделения физики, математики и информатики НАН Беларуси. С 2004 Олехнович является главным научным сотрудником Объединенного института физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси, читает лекции в БГУ.

Научная деятельность

Научные работы Олехновича посвящены вопросам физики твердого тела, кристаллофизике. В защищенной в 1963 кандидатской диссертации он изучил пространственное распределение электронной плотности в кристаллах полупроводников, которое можно использовать для определения их физических характеристик. С 1967 Олехнович изучал дефекты в реальных кристаллах, разработал рентгеновский дифракционно-поляризационный метод анализа кристаллов, исследовал явления двулучепреломления и деполяризации рентгеновского излучения на дислокациях, эффект толщинных осцилляций интенсивности рассеяния рентгеновских лучей, что позволяет определять типы и количество дефектов. Он развил подход для описания фазовых превращений кристаллов типа перовскита, внес значительный вклад в создание новых материалов, которые могут быть использованы в твердотельной электронике.

Публикации

Олехнович является автором 10 изобретений и более 300 научных публикаций, среди которых:

• N.M. Olekhnovich, A.I. Olekhnovich. Dynamic effects of diffuse X-ray scattering near bragg reflections. // Phys. Stat. Sol. (a), V. 67, № 2 (1982).
• N.M. Olekhnovich, A.L. Karpei. Dynamical effects of X-ray scattering in Laue geometry for Si crystals with structure defects. // Phys. Stat. Sol. (a), V. 82, № 2 (1984).
• Н.М. Олехнович. Интегральные характеристики дифракции рентгеновских лучей в монокристаллах с хаотическим распределением дислокаций. // Металлофизика, Т. 8, № 1 (1986).
• N.M. Olekhnovich, A.V. Pushkarev. Birefringence and depolarition effects of X-ray scattering in Laue geometry for highly distorted crystals. // Phys. Stat. Sol. (a), V. 119, № 1 (1990).
• Н.М. Олехнович. Длины ненапряженных связей и соответствующие им радиусы катионов в кристаллах со структурой типа перовскита. // Кристаллография, Т. 49, № 5 (2004).
• Н.М. Олехнович. Напряженность межатомных связей и многоямный потенциал в кристаллах со структурой типа перовскита. // Кристаллография, Т. 50, № 3 (2005).

Литература

• Мікалай Міхайлавіч Аляхновіч (Да 70-годдзя з дня нараджэння). // Изв. НАН Беларуси: Сер. физ.-матем. наук, 2005, № 2.

Ссылки

• Николай Михайлович Олехнович: Справка на сайте НАН Беларуси