- дифракция быстрых электронов
-
- Термин
- дифракция быстрых электронов
- Термин на английском
- reflection high-energy electron diffraction
- Синонимы
- Аббревиатуры
- ДБЭ, RHEED
- Связанные термины
- дифракция медленных электронов
- Определение
- метод исследования структуры поверхности твердых тел, основанный на анализе картин дифракции электронов с энергией 5 - 100 кэВ, упруго рассеянных от исследуемой поверхности под скользящими углами
- Описание
Чувствительность к структуре поверхности в ДБЭ достигается тем, что первичный пучок падает на исследуемую поверхность под малым скользящим углом порядка 1 – 5о, а также тем, что детектируются только дифракционные пучки, выходящие под малыми углами к поверхности. В результате на всем своем пути свободного пробега электроны остаются в тонкой приповерхностной области. Например, электроны с энергией 50 – 100 кэВ, имея длину свободного пробега порядка 100 нм, при угле падения порядка 1о проникают на глубину не более 1 нм.
На рис. 1 приведена схема экспериментальной аппаратуры для изучения поверхности методом ДБЭ, в которой пучок высокоэнергетических электронов из электронной пушки попадает на поверхность образца под скользящим углом, а продифрагировавшие пучки электронов формируют картину ДБЭ на флюоресцентном экране. В качестве примера на рисунке показана картина ДБЭ от атомарно-чистой поверхности Si(111)7x7. Держатель образца помещается на платформу, которая позволяет вращать образец для получения картин ДБЭ по разным азимутальным направлениям.
Метод ДБЭ позволяет:
- качественно оценить структурное совершенство поверхности (От хорошо упорядоченной поверхности наблюдается картина ДБЭ с четкими яркими рефлексами и низким уровнем фона);
- определить обратную решетку поверхности из геометрии дифракционной картины;
- определить атомную структуру поверхности путем сравнения зависимостей интенсивности дифракционных рефлексов от угла падения первичного пучка электронов (кривые качания), рассчитанных для структурных моделей, с зависимостями, полученными в эксперименте;
- определить структуру трехмерных островков, сформировавшихся на поверхности;
- контролировать послойный рост эпитаксиальных пленок с атомарной точностью по осцилляциям интенсивности дифракционного пучка.
- Авторы
- Зотов Андрей Вадимович, д.ф.-м.н.
- Саранин Александр Александрович, д.ф.-м.н.
- Ссылки
- Введение в физику поверхности: Пер. с англ. / Оура Кендзиро, Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Зотов А.В., Катаяма М. - М. Наука, 2006. - 490 с.
- Иллюстрации
Рис.1. Схема аппаратуры ДБЭ и картина ДБЭ от поверхности Si(111)7x7.
Источник: Введение в физику поверхности: Пер. с англ. / Оура Кендзиро, Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Зотов А.В., Катаяма М. - М. Наука, 2006. - 490 с.- Теги
- Разделы
- Дифракционные методы (рентгеновские, электронные, нейтронные)
(Источник: «Словарь основных нанотехнологических терминов РОСНАНО») - Термин
Энциклопедический словарь нанотехнологий. — Роснано. 2010.
