гетероэпитаксия


гетероэпитаксия
Термин
гетероэпитаксия
Термин на английском
heteroepitaxy
Синонимы
Аббревиатуры
Связанные термины
гетероструктура полупроводниковая, эпитаксия твердофазная, эпитаксия газофазная, эпитаксия жидкофазная, эпитаксия молекулярно-лучевая, метод
Определение
вид эпитаксии, когда растущий слой отличается по химическому составу от вещества подложки
Описание

Так как подложка и пленка состоят из разных материалов, идеальный соразмерный рост (см. рис. 1 а), происходящий при полном совпадении параметров кристаллической решетки, маловероятен. Чаще всего кристаллическая структура пленки и подложки отличаются друг от друга. Это различие структур характеризуется таким количественным параметром, как несоответствие решеток, определяемое как относительная разность их постоянных:

? = (b-a)/a.

Небольшие несоответствия решеток могут быть адаптированы за счет упругих напряжений, то есть за счет деформации решетки таким образом, что напряженная решетка сохраняет периодичность подложки в плоскости границы раздела, но в перпендикулярном направлении приобретает иную периодичность, сохраняя при этом объем элементарной ячейки. Этот тип роста, называемый псевдоморфным, показан на рис. 1б.

При больших несоответствиях решеток напряжение достигает такой величины, что его релаксация возможна лишь через возникновение дислокаций несоответствия, возникающих на границе раздела, как показано на рис. 1 в. Легко показать, что расстояние между дислокациями равно

d = ab/|b-a|.

Технология гетероэпитаксии используется для выращивания гетероструктур, например, таких как нитрид галлия на сапфире, алюминий-галлий-фосфид индия (AlGaInP) на арсениде галлия (GaAs).

Авторы
  • Саранин Александр Александрович, д.ф.-м.н.
Ссылки
  1. Введение в физику поверхности: Пер. с англ. / Оура Кендзиро, Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Зотов А.В., Катаяма М. - М. Наука, 2006. - 490 с.
Иллюстрации
Схематическая диаграмма, иллюстрирующая механизм

Схематическая диаграмма, иллюстрирующая механизмы роста гетероэпитаксиальных пленок, а - соразмерный рост при совпадении решеток; б - напряженный псевдоморфный рост; в - релаксированный дислокационный рост.


Источник: Введение в физику поверхности: Пер. с англ. / Оура Кендзиро, Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Зотов А.В., Катаяма М. - М. Наука, 2006. - 490 с.

Теги
Разделы
Эпитаксиальные слои
Эпитаксиальные слои
Химическое, термическое и электродуговое ocаждение из газовой фазы (в том числе CVD, EVD, MoCVD, PVD и аналоги)
Физические методы (лазерные, электронно-лучевые, ионно-плазменные) осаждения слоев нанометровых толщин
Наноэлектроника, компонентная база и устройства

Энциклопедический словарь нанотехнологий. — Роснано. 2010.

Синонимы:

Смотреть что такое "гетероэпитаксия" в других словарях:

  • гетероэпитаксия — сущ., кол во синонимов: 1 • эпитаксия (2) Словарь синонимов ASIS. В.Н. Тришин. 2013 …   Словарь синонимов

  • гетероэпитаксия —  Heteroepitaxy  Гетероэпитаксия   Процесс выращивания монокристаллического слоя вещества, отличающегося по химическому составу от вещества подложки, но близкого ему по кристаллографической структуре. Методом гетероэпитаксии создаются… …   Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.

  • гетероэпитаксия — įvairialytė epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. heteroepitaxy vok. Heteroepitaxie, f rus. гетероэпитаксия, f pranc. hétéroépitaxie, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • эпитаксия — (от эпи... и греч. táxis  расположение), ориентированный рост одного монокристалла на поверхности другого (подложки). Вещества могут быть одинаковы (гомоэпитаксия, или автоэпитаксия) или различны (гетероэпитаксия). Эпитаксия определяется условием …   Энциклопедический словарь

  • эпитаксия — Термин эпитаксия Термин на английском epitaxy Синонимы Аббревиатуры Связанные термины гетероструктура полупроводниковая, гетероэпитаксия, гомоэпитаксия, подложка, эпитаксия твердофазная, эпитаксия газофазная, эпитаксия жидкофазная, эпитаксия… …   Энциклопедический словарь нанотехнологий

  • ЭПИТАКСИЯ — (от эпи... и греч. taxis расположение) ориентированный рост одного монокристалла на поверхности другого (подложки). Вещества могут быть одинаковы (гомоэпитаксия, или автоэпитаксия) или различны (гетероэпитаксия). Эпитаксия определяется условием… …   Большой Энциклопедический словарь

  • Лифшиц Виктор Григорьевич — (р. 1941), физик, член корреспондент РАН (1997). Труды по физике поверхности твердого тела: диффузия, адсорбция, формирование межзонных границ, гомо и гетероэпитаксия, сверхрешётки со встроенными поверхностными фазами. * * * ЛИФШИЦ Виктор… …   Энциклопедический словарь

  • эпитаксия твердофазная — Термин эпитаксия твердофазная Термин на английском solid phase epitaxy Синонимы Аббревиатуры ТФЭ, SPE Связанные термины гетероэпитаксия, гомоэпитаксия, эпитаксия молекулярно лучевая, метод Определение способ наращивания эпитаксиальной пленки, при …   Энциклопедический словарь нанотехнологий

  • эпитаксия газофазная — Термин эпитаксия газофазная Термин на английском metalorganic vapour phase epitaxy Синонимы Аббревиатуры MOVPE Связанные термины гетероэпитаксия, гомоэпитаксия, нановискер, химическое осаждение из паров металлорганических соединений, эпитаксия… …   Энциклопедический словарь нанотехнологий

  • эпитаксия жидкофазная — Термин эпитаксия жидкофазная Термин на английском liquid phase epitaxy Синонимы Аббревиатуры LPE Связанные термины гетероэпитаксия, гомоэпитаксия, нановискер, эпитаксия молекулярно лучевая, метод Определение разновидность эпитаксии как одного из… …   Энциклопедический словарь нанотехнологий


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»

We are using cookies for the best presentation of our site. Continuing to use this site, you agree with this.