эпитаксия газофазная


эпитаксия газофазная
Термин
эпитаксия газофазная
Термин на английском
metalorganic vapour phase epitaxy
Синонимы
Аббревиатуры
MOVPE
Связанные термины
гетероэпитаксия, гомоэпитаксия, нановискер, химическое осаждение из паров металлорганических соединений, эпитаксия молекулярно-лучевая, метод
Определение

1) разновидность эпитаксии как одного из нанотехнологических методов получения полупроводниковых гетероструктур;

2) разновидность метода химического осаждения из газовой фазы, при которой формируются эпитаксиальные пленки. 

Описание

Газофазное эпитаксиальное наращивание на подложке монокристаллических слоев полупроводниковых веществ осуществляется из металлоорганических соединений в реакторе при пониженном давлении. Газофазная эпитаксия первоначально разрабатывалась для выращивания кремния и арсенида галлия, сейчас применяется для выращивания большинства полупроводниковых материалов, используемых в микро- и оптоэлектронике. В реакторе располагаются подложки (тонкие срезы монокристалла), к которым поступает газовая смесь. При выращивании кремния основным компонентом газовой смеси является тетрахлорид кремния SiCl4 или силан SiH4, при выращивании арсенидов и фосфидов - алкилы соответствующих металлов (Ga(CH3)3, Al(CH3)3, Ga(C2H5)3, In(C2H5)3), а также арсин AsH3 и фосфин PH3. Газовая смесь при высокой температуре пиролитически разлагается вблизи поверхности роста, и элементы третьей группы взаимодействуют с элементами пятой группы, образуя соединения AIIIBV. В результате происходит послойное формирование полупроводникового соединения. С помощью газовой эпитаксии выращивают гетероструктуры GaAlAs/GaAs с квантовыми ямами для инжекционных лазеров, гетероструктуры GaAs/GaAlAs с селективным легированием, гетероструктуры с квантовыми точками, широкозонные полупроводниковые материалы на основе GaN для изготовления синих и зелёных светодиодов и коротковолновых лазеров.

Авторы
  • Гусев Александр Иванович, д.ф.-м.н.
Ссылки
  1. А. И. Гусев. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. Изд. 2-е, исправленное и до-полненное. Москва: Наука-Физматлит, 2007. 416 с.
Иллюстрации
Схема реактора установки газофазной эпитаксии

Схема реактора установки газофазной эпитаксии


Теги
Разделы
Эпитаксиальные слои
Химическое, термическое и электродуговое ocаждение из газовой фазы (в том числе CVD, EVD, MoCVD, PVD и аналоги)
Получение, диагностика и сертификация наноразмерных систем

Энциклопедический словарь нанотехнологий. — Роснано. 2010.

Смотреть что такое "эпитаксия газофазная" в других словарях:

  • Эпитаксия — это закономерное нарастание одного кристаллического материала на другой (от греч. επι на и ταξισ упорядоченность), т.е. ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Строго говоря, рост всех кристаллов можно назвать… …   Википедия

  • эпитаксия — Термин эпитаксия Термин на английском epitaxy Синонимы Аббревиатуры Связанные термины гетероструктура полупроводниковая, гетероэпитаксия, гомоэпитаксия, подложка, эпитаксия твердофазная, эпитаксия газофазная, эпитаксия жидкофазная, эпитаксия… …   Энциклопедический словарь нанотехнологий

  • эпитаксия молекулярно-лучевая, метод — Термин эпитаксия молекулярно лучевая, метод Термин на английском molecular beam epitaxy Синонимы Аббревиатуры МЛЭ, МПЭ, MBE Связанные термины гетероэпитаксия, гомоэпитаксия, квантовая яма, нановискер, эпитаксия твердофазная, эпитаксия газофазная …   Энциклопедический словарь нанотехнологий

  • ЭПИТАКСИЯ — (от греч. epi на и taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и г о м о э п и т а к с и ю… …   Физическая энциклопедия

  • Газофазная эпитаксия — Газофазная эпитаксия  получение эпитаксиальных слоев полупроводников путём осаждения из паро газовой фазы. Наиболее часто применяется в технологии кремниевых, германиевых и арсенид галлиевых полупроводниковых приборов и интегральных… …   Википедия

  • Жидкофазная эпитаксия — Эпитаксия из жидкой фазы в основном применяется для получения многослойных полупроводниковых соединений, таких как GaAs, CdSnP2; также является основным способом получения монокристаллического кремния (Метод Чохральского). Готовится шихта из… …   Википедия

  • Молекулярно-пучковая эпитаксия — Система молекулярно пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслон …   Википедия

  • гетероэпитаксия — Термин гетероэпитаксия Термин на английском heteroepitaxy Синонимы Аббревиатуры Связанные термины гетероструктура полупроводниковая, эпитаксия твердофазная, эпитаксия газофазная, эпитаксия жидкофазная, эпитаксия молекулярно лучевая, метод… …   Энциклопедический словарь нанотехнологий

  • гомоэпитаксия — Термин гомоэпитаксия Термин на английском homoepitaxy Синонимы Аббревиатуры homoepi Связанные термины эпитаксия твердофазная, эпитаксия газофазная, эпитаксия жидкофазная, эпитаксия молекулярно лучевая, метод Определение вид эпитаксии, при котором …   Энциклопедический словарь нанотехнологий

  • Гомоэпитаксия — Основная статья: Эпитаксия Гомоэпитаксия (автоєпитаксия) процесс ориентированного нарастания вещества, не отличающегося по химическому составу от вещества подложки. Пример: получение кремниевых и германиевых n+ n и p+ p в технологии… …   Википедия


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»

We are using cookies for the best presentation of our site. Continuing to use this site, you agree with this.