- ГАЛЛИЯ АНТИМОНИД
- ГАЛЛИЯ АНТИМОНИДГА́ЛЛИЯ АНТИМОНИ́Д, GaSb, монокристаллический полупроводниковый материал (см. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ), относящийся к классу соединений AIIIBV.
Кристаллы антимонида галлия имеют решетку сфалерита (см. типы кристаллических структур (см. СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ КРИСТАЛЛОВ)).
Антимонид галлия не растворяется в воде, слабо растворяется в концентрированной соляной кислоте, добавление азотной кислоты к соляной сильно увеличивает скорость растворения. При растворении в кислотах выделяется токсичный стибин SbH3. Окисление антимонида галлия на воздухе начинается при температуре выше 400 оС. При окислении поверхность антимонида галлия адсорбирует значительно большее число атомов кислорода, чем другие соединения AIIIBV (за исключением антимонида алюминия). Диссоциация соединения с выделением паров сурьмы начинается после расплавления соединения в вакууме.
Постоянная решетки при 300К равна 6,096А. Плотность в твердом состоянии =5,66 г/см3, в жидком состоянии (при температуре плавления) — 6,06 г/см3; температура плавления tпл= 712 оС; равновесное давление паров в точке плавления — 10-2 Па. Коэффициент линейного расширения — 6,710-6К-1, твердость по минералогической шкале = 4,5, диэлектрическая проницаемость (низкочастотная) = 15,69.
Ширина запрещенной зоны GaSb = 0,72 эВ. Нелегированный антимонид галлия имеет дырочный тип проводимости, связанный с наличием в нем положительно заряженных комплексов точечных дефектов. Эти комплексы (GaSb.VGa) состоят из антиструктурного дефекта GaSb (атомы галлия на местах атомов сурьмы) и вакансии галлия GaSb.
Промышленным методом выращивания монокристаллов арсенида индия является метод Чохральского (см. Методы выращивания кристаллов). В качестве акцепторной примеси используют германий и цинк, донорной — теллур.
Основная область применения — в качестве подложек для гетероструктур четверных твердых растворов типа AlxGa1-xAsySb1-y и InxGa1-xAsySb1-у для лазерных излучателей и фотоприемников на длину волны от 1,0 до 5,0 мкм. Отличительной особенностью кристаллов антимонида галлия является высокая чувствительность к механическим напряжениям. Под действием давления 400 Мпа удельное сопротивление GaSb увеличивается в два раза. Высокая чувствительность кристаллов GaSb позволила использовать его для производства тензометров. Применяют его также для изготовления туннельных диодов и микроволновых датчиков.
Энциклопедический словарь. 2009.
