Шальников Александр Иосифович

Ша́льников Александр Иосифович

(1905—1986), физик-экспериментатор, академик АН СССР (1979). Автор тончайших экспериментальных исследований и уникальных приборов в области физики низких температур (промежуточное состояние сверхпроводников, свойства жидкого и твёрдого гелия, квантовые кристаллы и их получение, тонкие металлические плёнки, коллоиды, свойства вакуума и др.). Государственная премия СССР (1948, 1949, 1953, 1985).

* * *

ШАЛЬНИКОВ Александр Иосифович

ША́ЛЬНИКОВ Александр Иосифович (1905—86), российский физик, академик АН СССР (1979). Автор тончайших экспериментальных исследований и уникальных приборов в области физики низких температур (сверхпроводимость, квантовые кристаллы), тонких металлических пленок, коллоидов, вакуума и др. Государственные премии СССР (1948, 1949, 1953, 1985).
* * *
ША́ЛЬНИКОВ Александр Иосифович [27 апреля (10 мая) 1905, Петербург — 6 сентября 1986, Москва], российский физик, академик (1979; член-корреспондент с 1946). Окончил Ленинградский политехнический институт (1928). Работал в Ленинградском физико-техническом институте (1923—35), Институте физических проблем АН СССР, в организации которого принимал активное участие с 1935. Преподавал в Ленинградском политехническом институте (с 1928). Профессор Московского университета (с 1944), организовал лабораторию физики низких температур. Основные работы в области физической химии, физики низких температур, научного приборостроения. Разработал и усовершенствовал многие физические приборы: счетчик квантов света, иконоскоп (см. ИКОНОСКОП), электронограф, вакуумную аппаратуру. В Ленинградском физико-техническом институте исследовал процессы испарения и конденсации веществ в высоком вакууме. С начала работы в Институте физических проблем занимался главным образом физикой сверхпроводников (см. СВЕРХПРОВОДНИКИ), жидкого и твердого гелия. Разработал ряд хирургических инструментов для проведения операций путем замораживания тканей (начало 60-х гг.). Разработал способы получения предельно тонких однородных металлических пленок. Обнаружил резкое возрастание критических полей для тонких сверхпроводящих пленок по сравнению с массивными сверхпроводниками. Конденсируя металл на поверхность, охлажденную до гелиевой температуры, наблюдал существенное повышение критической температуры пленок.
Экспериментально доказал двухфазную природу промежуточного состояния сверхпроводников и оценил размеры доменов (см. ДОМЕНЫ) в этой системе. Автор исследований тепловых и электромагнитных свойств сверхпроводников. Провел цикл работ по изучению свойств жидкого и твердого гелия.
Исследовал механизм электрических зарядов в жидком гелии. Разработал новую методику выращивания кристаллов гелия. Первым наблюдал движение электрических зарядов в кристаллах гелия и исследовал механизм этого процесса. Обнаружил новые явления — пуазейлево течение (см. Пуазейля закон (см. ПУАЗЕЙЛЯ ЗАКОН)) фононного газа, существование второго звука в кристаллах гелия, связанного с колебаниями плотности распределения фононов (см. ФОНОН). Первым обратил внимание на необычность кинетики роста кристаллов гелия, чем способствовал открытию специфического для гелия принципиально нового механизма роста кристаллов — квантовой кристаллизации.
Основатель и редактор журнала «Приборы и техника эксперимента» (1956). Четырежды лауреат Государственной премии СССР (1948, 1949, 1953, 1985). Золотая медаль П. Н. Лебедева.