MOCVD
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MOCVD — Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE) ist eine Epitaxiemethode zum Wachstum von kristallinen Schichten. Weitere Synonyme für diese Beschichtungstechnologie sind organo metallic vapor… … Deutsch Wikipedia
MOCVD — … Википедия
MOCVD — Metal Organic Chemical Vapor Deposition (Academic & Science » Electronics) … Abbreviations dictionary
Химическое, термическое и электродуговое ocаждение из газовой фазы (в том числе CVD, EVD, MoCVD, PVD и аналоги) — ПодразделыПоликристаллические слоиЭпитаксиальные слоиСтатьиадгезияволокна, борныеволокна, карбидкремниевыегетероэпитаксиязародышеобразованиекриоконденсациямеханизм роста Странского Крастановамеханизм роста Франка – Ван дер Мервемеханизмы роста… … Энциклопедический словарь нанотехнологий
Chemical beam epitaxy — (CBE) forms an important class of deposition techniques for semiconductor layer systems, especially III V semiconductor systems. This form of epitaxial growth is performed in an ultrahigh vacuum system. The reactants are in the form of molecular… … Wikipedia
Metallorganische chemische Gasphasenabscheidung — Die metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (englisch metal organic chemical vapour deposition oder metallo organic chemical vapour deposition, MOCVD) ist ein Beschichtungsverfahren aus der Gruppe der chemischen Gasphasenabscheidung… … Deutsch Wikipedia
Ruthenium — (pronEng|ruːˈθiːniəm) is a chemical element that has the symbol Ru and atomic number 44. A rare transition metal of the platinum group of the periodic table, ruthenium is found associated with platinum ores and used as a catalyst in some platinum … Wikipedia
Copper indium gallium selenide solar cells — Copper indium gallium selenide (CuIn1 xGaxSe2 or CIGS) is a direct bandgap semiconductor useful for the manufacture of solar cells. Because the material strongly absorbs sunlight, a much thinner film is required than of other semiconductor… … Wikipedia
Metallorganische Gasphasenepitaxie — Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE, auch organo metallic vapor phase epitaxy, OMVPE) ist ein Epitaxieverfahren zur Herstellung von kristallinen Schichten. Es ist in Bezug auf die… … Deutsch Wikipedia
Metalorganic chemical vapor deposition — (MOCVD) is a chemical vapor deposition process that uses metalorganic source gases. For instance, MOCVD may use tantalum ethoxide (Ta(OC 2H 5) 5), to create tantalum pentoxide (Ta 2O 5), or Tetrakis Dimethyl Amino Titanium(IV) (TDMAT) to create… … Wikipedia
Chemical Vapour Deposition — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen eingesetzt werden.… … Deutsch Wikipedia
