- low-threshold MOS
-
низкопороговая МОП-структура
Англо-русский словарь технических терминов. 2005.
low-threshold MOS
Смотреть что такое "low-threshold MOS" в других словарях:
low-threshold MOS — žemo įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. low threshold MOS; low threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit niedriger Schwellspannung, f rus. МОП структура с низким пороговым напряжением, f pranc … Radioelektronikos terminų žodynas
low-threshold MOS structure — žemo įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. low threshold MOS; low threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit niedriger Schwellspannung, f rus. МОП структура с низким пороговым напряжением, f pranc … Radioelektronikos terminų žodynas
MOS-Struktur mit niedriger Schwellspannung — žemo įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. low threshold MOS; low threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit niedriger Schwellspannung, f rus. МОП структура с низким пороговым напряжением, f pranc … Radioelektronikos terminų žodynas
structure MOS à basse tension de seuil — žemo įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. low threshold MOS; low threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit niedriger Schwellspannung, f rus. МОП структура с низким пороговым напряжением, f pranc … Radioelektronikos terminų žodynas
Threshold voltage — The threshold voltage of a MOSFET is usually defined as the gate voltage where an inversion layer forms at the interface between the insulating layer (oxide) and the substrate (body) of the transistor. The creation of this layer is described next … Wikipedia
žemo įtampos slenksčio MOP darinys — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. low threshold MOS; low threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit niedriger Schwellspannung, f rus. МОП структура с низким пороговым напряжением, f pranc. structure MOS à basse tension de… … Radioelektronikos terminų žodynas
МОП-структура с низким пороговым напряжением — žemo įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. low threshold MOS; low threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit niedriger Schwellspannung, f rus. МОП структура с низким пороговым напряжением, f pranc … Radioelektronikos terminų žodynas
MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up … Wikipedia
Federico Faggin — (né le 1er décembre 1941 à Vicence, en Vénétie) est un physicien et inventeur italien, spécialisé en physique du solide. Pionnier de l informatique et de la technologie des semi conducteurs, il est l un des pères du microprocesseur, et… … Wikipédia en Français
transistor — /tran zis teuhr/, n. 1. Electronics. a semiconductor device that amplifies, oscillates, or switches the flow of current between two terminals by varying the current or voltage between one of the terminals and a third: although much smaller in… … Universalium
Depletion-load NMOS logic — Depletion load nMOS/NMOS (n channel metal oxide semiconductor) is a form of nMOS logic family which uses depletion mode n type MOSFETs as load transistors as a method to enable single voltage operation and achieve greater speed than possible with … Wikipedia
