- insulated-gate FET
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полевой транзистор с изолированным затвором
Англо-русский словарь технических терминов. 2005.
insulated-gate FET
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insulated-gate FET — lauko tranzistorius su izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. insulated gate FET; insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate, m; Isolierschicht Feldeffekttransistor, m rus … Radioelektronikos terminų žodynas
silicon insulated-gate FET — lauko tranzistorius su izoliuota silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon insulated gate FET; silicon insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Si Gate, m rus. полевой… … Radioelektronikos terminų žodynas
resistive insulated-gate FET — lauko tranzistorius su varžine izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. resistive insulated gate FET; resistive insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Widerstandsgate, m rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
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insulated-gate field-effect transistor — lauko tranzistorius su izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. insulated gate FET; insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate, m; Isolierschicht Feldeffekttransistor, m rus … Radioelektronikos terminų žodynas
Insulated-gate bipolar transistor — The insulated gate bipolar transistor or IGBT is a three terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. It switches electric power in many modern appliances: electric cars, variable speed refrigerators, air… … Wikipedia
Insulated Gate Bipolar Transistor — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… … Deutsch Wikipedia
Insulated Gate Bipolar Transistor — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
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silicon insulated-gate field-effect transistor — lauko tranzistorius su izoliuota silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon insulated gate FET; silicon insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Si Gate, m rus. полевой… … Radioelektronikos terminų žodynas
resistive insulated-gate field-effect transistor — lauko tranzistorius su varžine izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. resistive insulated gate FET; resistive insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Widerstandsgate, m rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
