- high-threshold MOS
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высокопороговая МОП-структура
Англо-русский словарь технических терминов. 2005.
Англо-русский словарь технических терминов. 2005.
high-threshold MOS — aukšto įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high threshold MOS; high threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit hohem Schwellwert, f rus. МОП структура с высоким пороговым напряжением, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
high-threshold MOS structure — aukšto įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high threshold MOS; high threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit hohem Schwellwert, f rus. МОП структура с высоким пороговым напряжением, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
MOS-Struktur mit hohem Schwellwert — aukšto įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high threshold MOS; high threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit hohem Schwellwert, f rus. МОП структура с высоким пороговым напряжением, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure MOS à haute tension de seuil — aukšto įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high threshold MOS; high threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit hohem Schwellwert, f rus. МОП структура с высоким пороговым напряжением, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
Threshold voltage — The threshold voltage of a MOSFET is usually defined as the gate voltage where an inversion layer forms at the interface between the insulating layer (oxide) and the substrate (body) of the transistor. The creation of this layer is described next … Wikipedia
MOS-FET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
MOS-Fet — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
aukšto įtampos slenksčio MOP darinys — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high threshold MOS; high threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit hohem Schwellwert, f rus. МОП структура с высоким пороговым напряжением, f pranc. structure MOS à haute tension de seuil … Radioelektronikos terminų žodynas
МОП-структура с высоким пороговым напряжением — aukšto įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high threshold MOS; high threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit hohem Schwellwert, f rus. МОП структура с высоким пороговым напряжением, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
Logic family — In computer engineering, a logic family may refer to one of two related concepts. A logic family of monolithic digital integrated circuit devices is a group of electronic logic gates constructed using one of several different designs, usually… … Wikipedia
MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up … Wikipedia