- abrupt heterojunction
-
резкий гетеропереход
Англо-русский словарь технических терминов. 2005.
Англо-русский словарь технических терминов. 2005.
abrupt heterojunction — staigioji įvairialytė sandūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. abrupt heterojunction vok. abrupter Heteroübergang, m rus. резкий гетеропереход, m pranc. hétérojonction abrupte, f … Radioelektronikos terminų žodynas
abrupter Heteroübergang — staigioji įvairialytė sandūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. abrupt heterojunction vok. abrupter Heteroübergang, m rus. резкий гетеропереход, m pranc. hétérojonction abrupte, f … Radioelektronikos terminų žodynas
hétérojonction abrupte — staigioji įvairialytė sandūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. abrupt heterojunction vok. abrupter Heteroübergang, m rus. резкий гетеропереход, m pranc. hétérojonction abrupte, f … Radioelektronikos terminų žodynas
staigioji įvairialytė sandūra — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. abrupt heterojunction vok. abrupter Heteroübergang, m rus. резкий гетеропереход, m pranc. hétérojonction abrupte, f … Radioelektronikos terminų žodynas
резкий гетеропереход — staigioji įvairialytė sandūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. abrupt heterojunction vok. abrupter Heteroübergang, m rus. резкий гетеропереход, m pranc. hétérojonction abrupte, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Bipolar junction transistor — BJT redirects here. For the Japanese language proficiency test, see Business Japanese Proficiency Test. PNP … Wikipedia
Laser diode — Top: a packaged laser diode shown with a penny for scale. Bottom: the laser diode chip is removed from the above package and placed on the eye of a needle for scale … Wikipedia
semiconductor device — ▪ electronics Introduction electronic circuit component made from a material that is neither a good conductor nor a good insulator (hence semiconductor). Such devices have found wide applications because of their compactness, reliability,… … Universalium
Heterostructure-emitter bipolar transistor — The Heterojunction emitter bipolar transistor (HEBT), is a somewhat unique arrangement with respect to emitter blocking of minority carriers. This is accomplished by using heterostructure confinement in the emitter, introducing an energy barrier… … Wikipedia