- время переноса носителей
-
(заряда) carrier transit time
Англо-русский словарь технических терминов. 2005.
время переноса носителей
Смотреть что такое "время переноса носителей" в других словарях:
ИНЖEКЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — увеличение концентрации носителей заряда в полупроводнике (диэлектрике) в результате переноса носителей током из областей с повыш. концентрацией (металлич. контактов, гетеропереходов )под действием внеш. электрич. поля. И. н. з. приводит к… … Физическая энциклопедия
длина дрейфа неравновесных носителей заряда — длина дрейфа неравновесных носителей заряда; длина дрейфа Средняя длина переноса неравновесных носителей заряда электрическим полем за время, прошедшее до их рекомбинации … Политехнический терминологический толковый словарь
длина дрейфа нравновесных носителей заряда — длина дрейфа нравновесных носителей заряда; длина дрейфа Средняя длина переноса электрическим полм неравновесных носителей заряда в полупроводнике за время, прошедшее до их рекомбинации … Политехнический терминологический толковый словарь
длина дрейфа неравновесных носителей заряда полупроводника — длина дрейфа Средняя длина переноса неравновесных носителей заряда в полупроводнике электрическим полем за время, прошедшее с момента их возбуждения до рекомбинации. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы длина дрейфа … Справочник технического переводчика
Длина дрейфа неравновесных носителей заряда полупроводника — 37. Длина дрейфа неравновесных носителей заряда полупроводника Длина дрейфа Средняя длина переноса неравновесных носителей заряда в полупроводнике электрическим полем за время, прошедшее с момента их возбуждения до рекомбинации Источник: ГОСТ… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… … Физическая энциклопедия
ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ — (от лат. bi двойной, двоякий и греч. polos ось, полюс) один из осн. элементов полупроводниковой электроники. Создан в 1948 Дж. Бардином (J. Bardeen), У. Браттейном (W. Brattain) и У. Шокли (W. Shockley) (Нобелевская премия по физике, 1956).… … Физическая энциклопедия
ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… … Энциклопедия Кольера
ТИРИСТОР — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, состоящий из трёх p n переходов, взаимодействие между к рыми приводит к тому, что прибор может находиться в одном из двух устойчивых состояний: выключенном с высоким сопротивлением и включённом с низким.… … Физическая энциклопедия
ШУБНИКОВА -ДЕХААЗА ЭФФЕКТ — осциллирующая зависимость электропроводности кристалла от магн. поля. Ш. де X. э. наблюдается в кристаллах, где электронный газ вырожден, в сильном магн. поле при низких темп pax После открытия осцилляции электропроводности Л. В. Шубниковым и В.… … Физическая энциклопедия
ПРИБОР С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ — (ПЗС) интегральная схема, представляющая собой совокупность МДП структур, сформированных на общей полупроводниковой подложке т. о., что полоски электродов образуют линейную или матричную регулярную структуру. Расстояния между соседними… … Физическая энциклопедия
