- silicon-gate (technology )MOS
-
МОП-структура с кремниевыми затворами
Англо-русский словарь технических терминов. 2005.
silicon-gate (technology )MOS
Смотреть что такое "silicon-gate (technology )MOS" в других словарях:
silicon-gate MOS technology — MOP darinių su silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate MOS process; silicon gate MOS technology vok. Siliziumgate MOS Technik, f rus. технология МОП структур с кремниевыми затворами, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
silicon-gate MOS process — MOP darinių su silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate MOS process; silicon gate MOS technology vok. Siliziumgate MOS Technik, f rus. технология МОП структур с кремниевыми затворами, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
Silicon on sapphire — (SOS) is a hetero epitaxial process for integrated circuit manufacturing that consists of a thin layer (typically thinner than 0.6 micrometres) of silicon grown on a sapphire (Al2O3) wafer. SOS is part of the Silicon on Insulator (SOI) family of… … Wikipedia
MOS-FET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
MOS-Fet — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Metal gate — A metal gate, in the context of a lateral Metal Oxide Semiconductor MOS stack, is just that the gate material is made from a metal. For decades, the industry had moved away from metal as the gate material in the MOS stack due to fabrication… … Wikipedia
Siliziumgate-MOS-Technik — MOP darinių su silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate MOS process; silicon gate MOS technology vok. Siliziumgate MOS Technik, f rus. технология МОП структур с кремниевыми затворами, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
technologie MOS à grilles de silicium — MOP darinių su silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate MOS process; silicon gate MOS technology vok. Siliziumgate MOS Technik, f rus. технология МОП структур с кремниевыми затворами, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
Polycrystalline silicon — Polycrystalline silicon, also called polysilicon, is a material consisting of small silicon crystals. It differs from single crystal silicon, used for electronics and solar cells, and from amorphous silicon, used for thin film devices and solar… … Wikipedia
Dual-Gate-MOSFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Federico Faggin — (né le 1er décembre 1941 à Vicence, en Vénétie) est un physicien et inventeur italien, spécialisé en physique du solide. Pionnier de l informatique et de la technologie des semi conducteurs, il est l un des pères du microprocesseur, et… … Wikipédia en Français
