- ion-implanted
- [͵aıənımʹplɑ:ntıd] a физ.
с имплантированными ионами, ионно-имплантированный
Новый большой англо-русский словарь. 2001.
ion-implanted
Смотреть что такое "ion-implanted" в других словарях:
ion-implanted MOS — jonais implantuotas MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted MOS; ion implanted MOS structure vok. ionenimplantierter MOS Schaltkreis, m rus. ионно имплантированная МОП структура, f pranc. circuit MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
ion-implanted MOS structure — jonais implantuotas MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted MOS; ion implanted MOS structure vok. ionenimplantierter MOS Schaltkreis, m rus. ионно имплантированная МОП структура, f pranc. circuit MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
ion-implanted impurity — implantuotoji priemaiša statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. implanted dopant; implanted impurity; ion implanted impurity vok. Implantationsstoff, m; implantierter Dotant, m; ionenimplantierter Dotant, m rus. ионно… … Radioelektronikos terminų žodynas
ion implanted MOS device — jonais implantuotas MOP įtaisas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted MOS device vok. Ionenimplantations MOS Gerät, n rus. ионно имплантированный МОП прибор, m pranc. dispositif MOS à implantation ionique, m … Radioelektronikos terminų žodynas
ion-implanted layer — jonais implantuotas sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted layer vok. Ionenimplantationsschicht, f rus. ионно имплантированный слой, m pranc. couche implantée par ions, f … Radioelektronikos terminų žodynas
ion-implanted base transistor — tranzistorius su jonais implantuota baze statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted base transistor vok. Transistor mit ionenimplantierter Basis, m rus. транзистор с ионно имплантированной базой, m pranc. transistor à… … Radioelektronikos terminų žodynas
ion-implanted integrated circuit — integrinis jonais implantuotas grandynas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted integrated circuit vok. nach dem Ionenimplantationsverfahren hergestellte integrierte Schaltung, f rus. ионно имплантированная… … Radioelektronikos terminų žodynas
ion-implanted field-effect transistor — jonais implantuotas lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted field effect transistor vok. ionenimplantierter Feldeffekt transistor, m rus. ионно имплантированный полевой транзистор, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
ion-implanted junction — jonais implantuota sandūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted junction vok. ionenimplantierter Übergang, m rus. ионно имплантированный переход, m pranc. jonction implantée par ions, f … Radioelektronikos terminų žodynas
double ion-implanted process — dvikartinis jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double ion implanted process vok. Doppelimplantation, f rus. двухкратная ионная имплантация, f pranc. double implantation ionique, f … Radioelektronikos terminų žodynas
implanted dopant — implantuotoji priemaiša statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. implanted dopant; implanted impurity; ion implanted impurity vok. Implantationsstoff, m; implantierter Dotant, m; ionenimplantierter Dotant, m rus. ионно… … Radioelektronikos terminų žodynas
