- submicron MOS
- МОП-структура с субмикронными размерами элементов
Большой англо-русский и русско-английский словарь. 2001.
submicron MOS
Смотреть что такое "submicron MOS" в других словарях:
submicron-scale MOS transistor — submikrometrinis MOP tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. submicron scale MOS transistor vok. Submikrometer MOS Transistor, m rus. МОП транзистор с субмикронными размерами, m pranc. transistor MOS à l échelle… … Radioelektronikos terminų žodynas
Submikrometer-MOS-Transistor — submikrometrinis MOP tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. submicron scale MOS transistor vok. Submikrometer MOS Transistor, m rus. МОП транзистор с субмикронными размерами, m pranc. transistor MOS à l échelle… … Radioelektronikos terminų žodynas
transistor MOS à l'échelle submicronique — submikrometrinis MOP tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. submicron scale MOS transistor vok. Submikrometer MOS Transistor, m rus. МОП транзистор с субмикронными размерами, m pranc. transistor MOS à l échelle… … Radioelektronikos terminų žodynas
transistor — /tran zis teuhr/, n. 1. Electronics. a semiconductor device that amplifies, oscillates, or switches the flow of current between two terminals by varying the current or voltage between one of the terminals and a third: although much smaller in… … Universalium
LOCOS-Prozess — LOCOS, kurz für englisch Local Oxidation of Silicon (dt. »lokale Oxidation von Silicium«, ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur elektrischen Isolation von Bauelementen (meist Transistoren). Dafür wird der Silicium Wafer an… … Deutsch Wikipedia
submikrometrinis MOP tranzistorius — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. submicron scale MOS transistor vok. Submikrometer MOS Transistor, m rus. МОП транзистор с субмикронными размерами, m pranc. transistor MOS à l échelle submicronique, m … Radioelektronikos terminų žodynas
МОП-транзистор с субмикронными размерами — submikrometrinis MOP tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. submicron scale MOS transistor vok. Submikrometer MOS Transistor, m rus. МОП транзистор с субмикронными размерами, m pranc. transistor MOS à l échelle… … Radioelektronikos terminų žodynas
Negative bias temperature instability — (NBTI) is a key reliability issue in MOSFETs. It is of immediate concern in p channel MOS devices, since they almost always operate with negative gate to source voltage; however, the very same mechanism affects also nMOS transistors when biased… … Wikipedia
Siegfried Selberherr — (* 3 de agosto 1955 en Klosterneuburg) es un científico Austríaco en el campo de la microelectrónica y profesor en el Instituto de Microelectrónica de la Universidad Técnica de Viena.[1 … Wikipedia Español
Laboratoire d'électronique des technologies de l'information — 45° 11′ 40″ N 5° 42′ 19″ E / 45.194581, 5.705144 … Wikipédia en Français
Зигфрид Зельберхерр — Siegfried Selberherr … Википедия
