silicon-on-insulator

silicon-on-insulator
кремний на диэлектрике, КНД (полупроводниковая структура)

Большой англо-русский и русско-английский словарь. 2001.

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  • Silicon on insulator — technology (SOI) refers to the use of a layered silicon insulator silicon substrate in place of conventional silicon substrates in semiconductor manufacturing, especially microelectronics, to reduce parasitic device capacitance and thereby… …   Wikipedia

  • Silicon on insulator — (SOI, deutsch „Silicium auf einem Isolator“) bezeichnet eine Herstellungstechnologie für Schaltkreise aus Silizium Transistoren. Diese befinden sich auf einem isolierenden Material, wodurch sich kürzere Schaltzeiten und geringere… …   Deutsch Wikipedia

  • Silicon on Insulator — Der englische Begriff silicon on insulator (SOI, deutsch „Silizium auf einem Isolator“) bezeichnet eine Herstellungstechnologie für Schaltkreise auf Basis von Silizium Substraten. Diese befinden sich auf einem isolierenden Material, wodurch sich… …   Deutsch Wikipedia

  • Silicon on insulator — Silicium sur isolant Le Silicium Sur Isolant (en anglais : SOI ou Silicon On Insulator) est une structure constituée d un empilement d une couche de silicium (de 50 nm à quelques µm d épaisseur) sur une couche d isolant. Cet isolant peut… …   Wikipédia en Français

  • silicon-on-insulator — silicio darinys ant dielektriko statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon structure on isolant; silicon on dielectric; silicon on insulator vok. Silizium auf Dielektrikum Struktur, f rus. КНД структура, f; структура типа… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Silicon on insulator — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …   Википедия

  • Silicon on insulator — Silicon on consolator (SOI) es una tecnología de fabricación microelectrónica en la que se sustituye el sustrato tradicional de fabricación de obleas de sesar, por un sandwich de capas de semiconductor aislante semiconductor. Esta técnica reduce… …   Wikipedia Español

  • silicon-on-insulator integrated circuit — integrinis silicio grandynas ant dielektriko statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. insulated substrate silicon integrated circuit; silicon on insulator integrated circuit vok. integrierter Silizium auf Dielektrikum Schaltkreis, m… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • silicon-on-insulator substrate — dielektrinis silicio sluoksniu dengtas padėklas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on insulator substrate vok. Silizium auf Dielektrikum Substrat, n rus. диэлектрическая подложка со слоем кремния, f pranc. substrat à… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • silicon-on-insulator technology — silicio darinių ant dielektriko technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on insulator technology vok. Silizium auf Dielektrikum Technologie, f rus. КНД технология, f; технология на КНД структуре, f pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • silicon-in-insulator structure — silicio darinys dielektrike statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon in insulator structure vok. Silizium im Isolator Struktur, f rus. структура типа кремний в диэлектрике, f pranc. structure silicium au isolant, f …   Radioelektronikos terminų žodynas


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