- semiconductor-metal-semiconductor structure
- структура полупроводник - металл - полупроводник, ПМП-структура
Большой англо-русский и русско-английский словарь. 2001.
Большой англо-русский и русско-английский словарь. 2001.
metal-insulator-semiconductor structure — metalo dielektriko puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal insulator semiconductor structure vok. Metall Isolator Halbleiter Struktur, f rus. структура металл диэлектрик полупроводник, f pranc. structure … Radioelektronikos terminų žodynas
metal-nitride-semiconductor structure — metalo nitrido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal nitride semiconductor structure vok. Metall Nitrid Halbleiter Struktur, f rus. структура металл нитрид полупроводник, f pranc. structure métal… … Radioelektronikos terminų žodynas
metal-oxide-semiconductor structure — metalo oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal oxide semiconductor structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur, f rus. структура металл оксид полупроводник, f pranc. structure métal oxyde semi… … Radioelektronikos terminų žodynas
metal-alumina-oxide-semiconductor structure — metalo aliuminio ir silicio oksidų puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal alumina oxide semiconductor structure vok. Metall Al₂O₃ SiO₂ Struktur, f; Metall Aluminiumoxid und Siliziumoxid Struktur, f rus … Radioelektronikos terminų žodynas
metal-nitride-oxide-semiconductor structure — metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal nitride oxide semiconductor structure vok. Metall Nitrid Oxid Halbleiter Struktur, f rus. структура металл нитрид оксид полупроводник, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
complementary metal-nitride-oxide-semiconductor structure — jungtinis metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary metal nitride oxide semiconductor; complementary metal nitride oxide semiconductor structure; complementary MNOS structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
double-diffused metal-nitride-oxide-semiconductor structure — dvikartinės difuzijos metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double diffused metal nitride oxide semiconductor structure; double diffused MNOS structure vok. doppeldiffundierte Metall… … Radioelektronikos terminų žodynas
double-diffused metal-oxide-semiconductor structure — dvikartinės difuzijos MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double diffused metal oxide semiconductor structure; double diffused MOS vok. Doppeldifusions MOS Struktur, f rus. двухдиффузионная структура метал окисел… … Radioelektronikos terminų žodynas
bulk metal-insulator-semiconductor structure — tūrinis MDP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bulk metal insulator semiconductor structure; bulk MIS structure vok. Volumen Metall Isolator Halbleiter Struktur, f; Volumen MIS Struktur, f rus. объёмная МДП структура, f … Radioelektronikos terminų žodynas
semiconductor device — ▪ electronics Introduction electronic circuit component made from a material that is neither a good conductor nor a good insulator (hence semiconductor). Such devices have found wide applications because of their compactness, reliability,… … Universalium
structure MNOS complémentaire — jungtinis metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary metal nitride oxide semiconductor; complementary metal nitride oxide semiconductor structure; complementary MNOS structure… … Radioelektronikos terminų žodynas