- self-aligned MOS
- самосовмещенная МОП-структура
Большой англо-русский и русско-английский словарь. 2001.
self-aligned MOS
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metal self-aligned MOS process — susitapatinančiosios metalizacijos MOP darinių technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal self aligned MOS process vok. selbstjustierende Metallisierungsprozeß MOS Technik, f rus. технология МОП структур с… … Radioelektronikos terminų žodynas
self-aligned gate MOS — MOP darinys su susitapatinančiomis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate MOS; self aligned gate MOS structure vok. MOS Struktur mit selbstjustierten Gates, f rus. МОП структура с самосовмещёнными… … Radioelektronikos terminų žodynas
self-aligned gate MOS structure — MOP darinys su susitapatinančiomis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate MOS; self aligned gate MOS structure vok. MOS Struktur mit selbstjustierten Gates, f rus. МОП структура с самосовмещёнными… … Radioelektronikos terminų žodynas
self-aligned polysilicon-gate MOS process — MOP darinių su susitapatinančiomis polikristalinio silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned polysilicon gate MOS process vok. selbstjustierende MOS Polysiliziumtechnik, f rus. технология… … Radioelektronikos terminų žodynas
self-aligned thick oxide MOS process — MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis ir storu oksidu technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned thick oxide MOS process vok. MOS Technologie mittels selbstjustierten Gates und dicker Oxidschicht, f rus … Radioelektronikos terminų žodynas
advanced MOS self-aligned gate process — patobulinta MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. advanced MOS self aligned gate process vok. fortgeschrittene MOS Technologie mit selbstjustierendem Gate, f rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
MOS-Struktur mit selbstjustierten Gates — MOP darinys su susitapatinančiomis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate MOS; self aligned gate MOS structure vok. MOS Struktur mit selbstjustierten Gates, f rus. МОП структура с самосовмещёнными… … Radioelektronikos terminų žodynas
MOS-FET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
MOS-Fet — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
MOS-Technologie mittels selbstjustierten Gates und dicker Oxidschicht — MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis ir storu oksidu technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned thick oxide MOS process vok. MOS Technologie mittels selbstjustierten Gates und dicker Oxidschicht, f rus … Radioelektronikos terminų žodynas
selbstjustierende Metallisierungsprozeß-MOS-Technik — susitapatinančiosios metalizacijos MOP darinių technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal self aligned MOS process vok. selbstjustierende Metallisierungsprozeß MOS Technik, f rus. технология МОП структур с… … Radioelektronikos terminų žodynas
