off-channel leakage
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Adjacent Channel Power — ACP Messung eines UMTS FDD Trägers Das Bild stellt neben den UMTS Träger Signals auch die Grenzfrequenzen der zwei unteren und oberen Nachbarkanäle dar (siehe Beispiel ACP Messung). Als Adjacent Channel Power (ACP), auch Nachbarkanalleistung,… … Deutsch Wikipedia
Multi-channel length — is a technique for reducing power leakage in both active and idle modes on CMOS technology. Other techniques to reduce leakage, like power gating and SRAM retention, are targeted at reducing leakage power when the device, or portions of it, are… … Wikipedia
Non-verbal leakage — is a term used within Communication to describe the signs emitted by an individual when communicating in a certain channel. These signs given off are known as leakage and are either not intended or not known by the sender of the message.… … Wikipedia
MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up … Wikipedia
Multigate device — A multigate device or multiple gate field effect transistor(MuGFET) refers to a MOSFET which incorporates more than one gate into a single device. The multiple gates may be controlled by a single gate electrode, wherein the multiple gate surfaces … Wikipedia
Oscilloscope types — This is a subdivision of the Oscilloscope article, discussing the various types and models of oscilloscopes in greater detail. Contents 1 Cathode ray oscilloscope (CRO) 1.1 Dual beam oscilloscope 2 Analog storage oscilloscope … Wikipedia
ACLR — ACP Messung eines UMTS FDD Trägers Das Bild stellt neben den UMTS Träger Signals auch die Grenzfrequenzen der zwei unteren und oberen Nachbarkanäle dar (siehe Beispiel ACP Messung). Als Adjacent Channel Power (ACP), auch Nachbarkanalleistung,… … Deutsch Wikipedia
ACPR — ACP Messung eines UMTS FDD Trägers Das Bild stellt neben den UMTS Träger Signals auch die Grenzfrequenzen der zwei unteren und oberen Nachbarkanäle dar (siehe Beispiel ACP Messung). Als Adjacent Channel Power (ACP), auch Nachbarkanalleistung,… … Deutsch Wikipedia
Kanalleistung — ACP Messung eines UMTS FDD Trägers Das Bild stellt neben den UMTS Träger Signals auch die Grenzfrequenzen der zwei unteren und oberen Nachbarkanäle dar (siehe Beispiel ACP Messung). Als Adjacent Channel Power (ACP), auch Nachbarkanalleistung,… … Deutsch Wikipedia
Nachbarkanalleistung — ACP Messung eines UMTS FDD Trägers Das Bild stellt neben den UMTS Träger Signals auch die Grenzfrequenzen der zwei unteren und oberen Nachbarkanäle dar (siehe Beispiel ACP Messung). Als Adjacent Channel Power (ACP), auch Nachbarkanalleistung,… … Deutsch Wikipedia
semiconductor device — ▪ electronics Introduction electronic circuit component made from a material that is neither a good conductor nor a good insulator (hence semiconductor). Such devices have found wide applications because of their compactness, reliability,… … Universalium
