ЭЛАСТОСОПРОТИВЛЕНИЕ


ЭЛАСТОСОПРОТИВЛЕНИЕ
ЭЛАСТОСОПРОТИВЛЕНИЕ

- изменение уд. электросопротивления на единицу деформации (см. Тензорезистив-ный эффект):


469-512_08-36.jpg

Здесь r-сопротивление в отсутствие деформации,469-512_08-37.jpg- изменение r при деформации,469-512_08-38.jpg -безразмерный тензор Э. 4-го ранга,469-512_08-39.jpg -тензор деформации 2-го ранга. Относит. изменение уд. сопротивления деформированного кристалла в линейном по деформации приближении можно записать в виде 469-512_08-40.jpg где 469-512_08-41.jpg -тензор пьезосопротивления 4-го ранга, Xi- тензор механич. напряжения 2-го ранга, связанный с тензором деформации 469-512_08-42.jpg (через тензор модулей упругости С ik )соотношением 469-512_08-43.jpg

Компоненты тензора Э.
469-512_08-44.jpg

Так же, как и компоненты П ik, компоненты 469-512_08-45.jpgобразуют шестимерную матрицу. На основании (3) для кристаллов кубич. симметрии связь между коэф. пьезосопротивления и Э. имеет вид

469-512_08-46.jpg

Соотношения (5) позволяют определить коэф. Э., измеряя коэф. пьезосопротивления. Вместо упругих постоянных 469-512_08-47.jpg можно пользоваться т. н. константами жёсткости 469-512_08-48.jpg (приводимыми обычно в таблицах):

469-512_08-49.jpg

Если осн. минимумы энергии зоны проводимости кристалла (см. Зонная теория )расположены на осях [100] (что имеет место в h-Si), то

469-512_08-50.jpg Если осн. минимумы находятся на осях [111] (n-Ge), то 469-512_08-51.jpg

Лит.:Herring C., Transport properties of many-valley semiconductor, "Bell System Techn. Journal", 1955, v. 34, p. 237; Вир Г. Л., Пикус Г. E., Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках, M., 1972; Баранский П. И., Клочков В. П., Поты-кевич И. В., Полупроводниковая электроника, К., 1975.

П. И. Баранский.

Физическая энциклопедия. В 5-ти томах. — М.: Советская энциклопедия. . 1988.


.


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»

We are using cookies for the best presentation of our site. Continuing to use this site, you agree with this.