- СВЕРХРЕШЁТКИ
- СВЕРХРЕШЁТКИ
-
многослойные твердотельные структуры, в к-рых на эл-ны помимо периодич. потенциала крист. решётки действует искусственно создаваемый дополнит. периодич. потенциал с периодом, значительно превышающим постоянную решётки. Если длина свободного пробега носителей заряда превосходит период С., то возникает модуляция электронного энергетич. спектра, приводящая к расщеплению разрешённых энергетич. зон на ряд минизон. Вследствие такой перестройки электронного спектра возникновение С. сопровождается изменением электрич., оптич. и др. св-в кристалла. В одномерных С. (дополнит. периодичность в одном направлении) внутризонное оптич. поглощение резко анизотропно для света, поляризованного вдоль оси С., имеются полосы интенсивного межминизонного поглощения, отсутствующие при иной поляризации. Анизотропия поглощения и преломления даёт возможность использовать С. в кач-ве фильтров и поляризаторов ИК излучения. В пост. электрич. поле, параллельном оси С., вольтамперная хар-ка имеет падающие N-образные участки. Благодаря наличию таких участков С. могут использоваться как усилители и генераторы эл.-магн. колебаний, частота к-рых перестраивается в широких пределах изменением пост. электрич. поля. Из-за малой ширины минизон нелинейные ВЧ явления (нелинейное поглощение, генерация высших гармоник и комбинац. частот, усиление одной эл.-магн. волны в присутствии другой, самоиндуциров. прозрачность и др.) проявляются в С. при значительно меньших интенсивностях эл.-магн. волн, нежели в обычных (однородных) кристаллах.С. могут быть созданы искусственно, напр. в виде периодич. системы гетеропереходов. Дополнительный периодич. потенциал с периодом, гораздо большим постоянной крист. решётки, наблюдается также в нек-рых классах в-в — дихалькогенидах переходных металлов типа MoS2, полупроводниках типа AIIIBVI (напр., GaSe), упорядоченных сплавах благородных металлов с гранецентрированной кубич. решёткой (напр., Cu—Au), политипных ПП структурах (напр., SiC).
Физический энциклопедический словарь. — М.: Советская энциклопедия. Главный редактор А. М. Прохоров. 1983.
.
Смотреть что такое "СВЕРХРЕШЁТКИ" в других словарях:
сверхрешётки — Многослойные твёрдотельные структуры, в которых искусственно создан дополнительный периодический потенциал с периодом, на порядок или более превышающим постоянную решётки; энергетический спектр зонного электрона при этом разбивается на… … Политехнический терминологический толковый словарь
Сверхрешётка — GaAs/AlAs и профиль потенциала электронов проводимости и вакантных состояний вдоль направления роста структуры (z). В физике полупроводников под термином сверхрешётка принято понимать твердотельную структуру, в которой помимо периодического… … Википедия
СВЕРХРЕШЁТКА — твердотельная периодич. структура, в к рой наносители заряда (электроны), помимо обычного потенциала кристаллич. решётки(см. Внутрикристаллическое поле), действует дополнит. потенциал … Физическая энциклопедия
Гигантское магнетосопротивление — Гигантское магнетосопротивление, гигантское магнитосопротивление[1], ГМС (англ. Giant magnetoresistance, GMR) квантовомеханический эффект, наблюдаемый в тонких металлических плёнках, состоящих из чередующихся ферромагнитных и… … Википедия
Сверхрешетка — В физике полупроводников под термином сверхрешётка принято понимать твердотельную структуру, в которой помимо периодического потенциала кристаллической решётки имеется дополнительный потенциал, период которого существенно превышает постоянную… … Википедия
Рафаэль Тсу — (англ. Raphael Tsu) американский ученый китайского происхождения. Специалист в области искусственных атомоподобных систем, созданных технологическими методами интегральной электроники в полупроводниках. Фамилию Тсу (Tsu) принял после… … Википедия
МАЛОУГЛОВОЕ РАССЕЯНИЕ — упругое рассеяние эл. магн. излучения или пучка частиц (электронов, нейтронов) на неоднородностях вещества, размеры к рых существенно превышают длину волны излучения (или дебройлевскую длину волны частиц); направления рассеянных лучей при этом… … Физическая энциклопедия
ОПТИЧЕСКИЕ КОМПЬЮТЕРЫ — интенсивноразрабатываемое в 1980 90 е гг. новое поколение вычислит. техники (компьютеров)на основе использования оптич. излучения в качестве носителя информации … Физическая энциклопедия
ЭПИТАКСИЯ — (от греч. epi на и taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и г о м о э п и т а к с и ю… … Физическая энциклопедия
Молекулярно-пучковая эпитаксия — Система молекулярно пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслон … Википедия