БУРШТЕЙНА—МОССА ЭФФЕКТ

БУРШТЕЙНА—МОССА ЭФФЕКТ

       

сдвиг края области собств. поглощения света полупроводником в сторону высоких частот при увеличении концентрации эл-нов проводимости и заполнении ими зоны проводимости. Так, в кристалле InSb с собств. проводимостью край поглощения соответствует (при T=300 К) длине волны lкр=7,2 мкм; после легирования образца донорами до концентрации 5•1018см-3 lкр=3,2 мкм. Б.— М. э.— следствие Паули принципа: оптич. квант. переходы возможны лишь при условии, что состояние, в к-рое переходит эл-н, не занято др. эл-ном. Установлено независимо друг от друга амер. физиком Э. Бурштейном (Е. Burstein) и англ. физиком Т. С. Моссом (Т. S. Moss) в 1954.

Физический энциклопедический словарь. — М.: Советская энциклопедия. Главный редактор А. М. Прохоров. 1983.