- ПЬЕЗООПТИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ
- ПЬЕЗООПТИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ
-
(см. ФОТОУПРУГОСТЬ).
Физический энциклопедический словарь. — М.: Советская энциклопедия. Главный редактор А. М. Прохоров. 1983.
- ПЬЕЗООПТИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ
-
(фотоупругость, эластооптический эффект) - возникновение оптич. анизотропии в первоначально изотропных твёрдых телах (в т. ч. полимерах) под действием механич. напряжений. П. э. открыт Т. И. Зеебеком (Т. J. Seebeck) в 1813 и Д. Брюстером (D. Brewster) в 1816. П. э.- следствие зависимости диэлектрич. проницаемости от деформации; проявляется в виде двойного лучепреломления и дихроизма, возникающих под действием механич. нагрузок. При одноосном растяжении или сжатии прозрачное изотропное тело приобретает свойства оптически одноосного кристалла с оптич. осью, параллельной оси растяжения или сжатия. При более сложных деформациях, напр. при двустороннем растяжении, образец становится оптически двуосным.
П. э. обусловлен деформацией электронных оболочек атомов и молекул н ориентацией оптически анизотропных молекул либо их частей, а в полимерах - раскручиванием и ориентацией полимерных цепей. Для малых одноосных растяжений и сжатий выполняется соотношение Брюстера Dn = КР, где Dn - величина двойного лучепреломления (разность показателей преломления для обыкновенной и необыкновенной волн), P- напряжение, К- упругооптич. постоянная (постоянная Брюстера). Для стёкол К = =10-13 - 10-12 см 2/дин (10-12 - 10-11 м 2/Н).
П. э. используется при исследовании напряжений в механич. моделях (см. Поляризационно-оптический метод исследования).
Лит.: Ландсберг Г. С., Оптика, 5 изд., М., 1976; Fрохт М. М., Фотоупругость, пер. с англ., т. 1-2, М.- Л., 1948-50; Бир Г. Л., Пикус Г. Е., Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках, М., 1972; Физическая акустика, под ред. У. Мэзона, Р. Терстона, пер. с англ., т. 7, М., 1974, гл. 5. Э. М. Эпштейн.
Пьезоэлектрические коэффициенты и полупроводниковые характеристики некоторых полупроводников
Кристалл
Группа симметрии
eg, э В
eji, Кл/м 2
е 14, Кл/м 2
е 15, Кл/м 2
е 31, Кл/м 2
е 33, Кл/м 2
e/e0**
KL*,%
KS*,%
Те
32
0,38
0,5
0,72
0
0
0
e1=33; e3=53
35
53
GaAs
43 m
1,43
0
- 0,16
0
0
0
12
2
7
GaP
- " -
2,3
0
-0,1
0
0
0
8,5
-
11
InSb
- " -
0,18
0
0,08
0
0
0
16
3
4
b-ZnS
- " -
3,8
0
0,14
0
9
0
8,3
-
5, 4
a-ZnS
6 mm
3,6
0
0
0,07
-
0,14
-
6
4
ZnO
- " -
3,4
0
0
- 0,59
- 0,61
1,14
e1=8,3; e3=8,8
28
32
CdS
- " -
2,4
0
0
- 0,21
-0,24
0,44
e1=9,0; e3=9,5
15
19
6H- SiC
- " -
3,0
0
0
0,08
-
0,2
e1=9,7; e3=10
2,8
2
Bi12GeO20
23
3,2
0
0,99
0
0
0
38
19
50
* KL, KS- коаф. эл.-механич. связи для продольных и поперечных упругих волн, распространяющихся в кристалле;
** e0=8,85·10-12 Ф/м; две величины указывают на анизотропию.
Физическая энциклопедия. В 5-ти томах. — М.: Советская энциклопедия. Главный редактор А. М. Прохоров. 1988.
.
