- ПЕЛЬТЬЕ ЭФФЕКТ
- ПЕЛЬТЬЕ ЭФФЕКТ
-
выделение или поглощение теплоты при прохождении электрич. тока I через контакт двух разл. проводников. Выделение теплоты сменяется поглощением при изменении направления тока. Открыт франц. физиком Ж. Пельтье (J. Peltier) в 1834. Кол-во теплоты Qп=ПI, где П — коэффициент Пельтье, равный: П=TDa. Здесь Т — абс. темп-pa, Da—разность термоэлектрич. коэфф. проводников.П. э. объясняется тем, что ср. энергия носителей тока зависит от их энергетич. спектра, концентрации и механизмов их рассеяния и поэтому в разных проводниках различна. При переходе из одного проводника в другой эл-ны либо передают избыточную энергию атомам, либо пополняют недостаток энергии за их счёт. В первом случае вблизи контакта выделяется, а во втором поглощается теплота Пельтье. При переходе эл-нов из полупроводника в металл энергия эл-нов проводимости ПП значительно выше уровня Ферми металла, и эл-ны отдают свою избыточную энергию. При противоположном направлении тока из металла в ПП могут перейти только те эл-ны, энергия к-рых выше дна зоны проводимости ПП. Тепловое равновесие в металле при этом нарушается и восстанавливается за счёт тепловых колебаний крист. решётки. При этом поглощается теплота Пельтье. На контакте двух ПП или двух металлов также выделяется (или поглощается) теплота Пельтье вследствие того, что ср. энергия носителей заряда по обе стороны контакта различна.П. э. используется для охлаждения в холодильных установках и в нек-рых электронных приборах.
Физический энциклопедический словарь. — М.: Советская энциклопедия. Главный редактор А. М. Прохоров. 1983.
- ПЕЛЬТЬЕ ЭФФЕКТ
-
- выделение или поглощениетепла на контакте двух разнородных проводников в зависимости от направленияэлектрич. тока, текущего через контакт. Открыт Ж. Пельтье (J. Peltier)в 1834. Мощность тепловыделения Q= П 12j, где j - плотность тока, П 12 = П 1 - П 2 (П 1,П 2 - абс. коэф. Пельтье контактирующих материалов, являющихсяхарактеристиками этих материалов). Причина возникновения П. э. заключаетсяв том, что ср. энергия носителей заряда (для определённости электронов),участвующих в электропроводности, в разл. проводниках различна, т. к. зависитот их энергетич. спектра, концентрации и механизма рассеяния (см. Рассеяниеносителей заряда). При переходе из одного проводника в другой электронылибо передают избыточную энергию решётке, либо пополняют недостаток энергииза её счёт (в зависимости от направления тока). В первом случае вблизиконтакта выделяется, а во втором - поглощается т. н. теплота Пельтье. Напр.,на контакте полупроводник - металл (рис.) энергия электронов, переходящихиз полупроводника n -типа в металл (левый контакт), значительно превышаетэнергию Ферми
Поэтому они нарушают тепловое равновесие в металле. Равновесие восстанавливаетсяв результате столкновений, при к-рых электроны термализуются, отдавая избыточнуюэнергию кристаллич. решётке. В полупроводник из металла (правый контакт)могут перейти только самые энергичные электроны, вследствие этого электронныйгаз в металле охлаждается. На восстановление равновесного распределениярасходуется энергия колебаний решётки.
Эффект Пельтье на контактах полупроводник n -типа -металл;
- уровень Ферми;
- дно зоны проводимости полупроводника:
- потолок валентной зоны.
На контакте двух полупроводников или двухметаллов также выделяется (или поглощается) теплота Пельтье, вследствиетого, что ср. энергия участвующих в токе носителей заряда по обе стороныконтакта различна.
Выражение для абс. коэф. Пельтье П (носителизаряда - электроны) имеет видгде
.- кинетич. энергия и скорость электронов, f1- неравновеснаячасть ф-ции распределения электронов,
- плотность состояний. Как видно из (1), коэф. П представляет собойотклонение ср. энергии носителей в потоке от энергии Ферми
отнесённое к единице заряда. Для определения П необходимо знать ф-цию
и найти
т. е. решить кинетич. ур-ние. В случае параболич. закона дисперсии электроновпроводимости
( р)(р- квазиимпульс) и степенной зависимости длины свободного пробега . от энергии при отсутствии вырождения в полупроводнике коэф. П определяетсяф-лой
Здесь
- параметр рассеяния, Т - абс. темп-pa (см. Рассеяние носителейзаряда в твёрдом теле);
отсчитывается от дна зоны проводимости.
Как видно из (2), еП но абс. величинеможет достигать десятков kT. С увеличением концентрации электроновв вырожденном проводнике или уменьшением Т величина П уменьшаетсяи приКоэф. Пельтье связан с коэф. термоэдс
т. <н. соотношением Томсона:
П=
Т.
Это позволяет использовать для оценки Презультаты микроскопич. теории для
Коэф. Пельтье, являющийся важной техн. характеристикой материалов, какправило, не измеряется, а вычисляется по
измерение к-рого более просто.
П. э. используется в термоэлектрич. холодильникахи термостатах, а также для управления процессом кристаллизации за счётвыделения или поглощения тепла на границе жидкой и твёрдой фаз при пропусканииэлектрич. тока.Лит.: Ансельм А. И., Введение втеорию полупроводников, 2 изд., М., 1978; Аскеров Б. М., Электронные явленияпереноса в полупроводниках, М., 1985; Зеегер К., Физика полупроводников, <пер. с англ.. М., 1977; Стильбанс Л. С., Физика полупроводников, М., 1967.
3. М. Дашевский.
Физическая энциклопедия. В 5-ти томах. — М.: Советская энциклопедия. Главный редактор А. М. Прохоров. 1988.
.