ОСНОВНЫЕ И НЕОСНОВНЫЕ НОСИТЕЛИ


ОСНОВНЫЕ И НЕОСНОВНЫЕ НОСИТЕЛИ
ОСНОВНЫЕ И НЕОСНОВНЫЕ НОСИТЕЛИ

       
заряда в полупроводниках, электроны проводимости в полупроводниках n-типа и дырки в полупроводниках р-типа. В невырожденном собственном ПП равновесные концентрации эл-нов n и дырок р равны: n=р=ni??(NcNv)exp(-?g/2kT), где Nc и Nv — эфф. плотности состояний в зоне проводимости и в валентной зоне, ?g — ширина запрещённой зоны. Величина ni зависит только от темп-ры Т и давления. В примесных ПП n и p связаны соотношением: np=n2i. Т. о., при увеличении равновесной концентрации основных носителей (напр., при легировании ПП соответствующей примесью) концентрация неосновных носителей убывает и наоборот. В неравновесных условиях (напр., при освещении ПП) может увеличиваться концентрация как основных, так и неосновных носителей. Основные носители определяют тип проводимости ПП (электронный или дырочный). В равновесных условиях концентрация неосновных носителей обычно мала (<-ni). Внеш. воздействиями (освещением, облучением быстрыми ч-цами, инжекцией носителей заряда и т. п.) её можно увеличить во много раз. На этом основана работа большинства полупроводниковых приборов. Концентрацию основных носителей определяют, измеряя электропроводность и коэфф. Холла (см. ХОЛЛА ЭФФЕКТ), а также магнитооптич. методами. Концентрацию неосновных носителей определяют, измеряя ток через электронно-дырочный переход и др.

Физический энциклопедический словарь. — М.: Советская энциклопедия. . 1983.


.

Смотреть что такое "ОСНОВНЫЕ И НЕОСНОВНЫЕ НОСИТЕЛИ" в других словарях:

  • НОСИТЕЛИ — (1) в химии вещества (макрокомпоненты), которые при хим. операциях, напр. осаждении, захватывают др. вещества (микрокомпоненты); используются для концентрирования следов элементов, выделения микроколичеств радиоактивных изотопов; (2) Н. заряда (Н …   Большая политехническая энциклопедия

  • ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • Полупроводники —         широкий класс веществ, характеризующихся значениями электропроводности σ, промежуточными между электропроводностью металлов (См. Металлы) (σ Полупроводники 106 104 ом 1 см 1) и хороших диэлектриков (См. Диэлектрики) (σ ≤ 10 10 10 12 ом… …   Большая советская энциклопедия

  • Фотоэдс —         электродвижущая сила, возникающая в полупроводнике (См. Полупроводники) при поглощении в нём электромагнитного излучения (фотонов). Появление Ф. (фотовольтаический эффект) обусловлено пространственным разделением генерируемых излучением… …   Большая советская энциклопедия

  • Словарь терминов физики полупроводников — Эта страница глоссарий …   Википедия

  • Время восстановления — обратного сопротивления базы диода  это переходный процесс, возникающий при переключении диода из проводящего состояния (прямого) в закрытое. Процесс обратного восстановления (ОВ) в большей степени характерен диодам на p n переходе, в отличие от… …   Википедия

  • Обратное восстановление — Эта статья или раздел нуждается в переработке. Пожалуйста, улучшите статью в соответствии с правилами написания статей …   Википедия

  • Биполярные транзисторы — Обозначение биполярных транзисторов на схемах Простейшая наглядная схема устройства транзистора Биполярный транзистор трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным… …   Википедия

  • Полупроводник — (Semiconductor) Определение полупроводника, строение полупроводников и принцип действия Информация об определении полупроводника, строение полупроводников и принцип действия Содержание Содержание 1. Исторические 2. Свойства 3. Строение… …   Энциклопедия инвестора

  • Тиристор — Обозначение на схемах Тиристор  полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p n переходами и имеющий два устой …   Википедия


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»

We are using cookies for the best presentation of our site. Continuing to use this site, you agree with this.