М — Д — П-СТРУКТУРА

М — Д — П-СТРУКТУРА

       

(структура металл — диэлектрик — полупроводник), конденсатор, состоящий из пластины полупроводника, слоя диэлектрика и металлич. электрода. При зарядке конденсатора электропроводность полупроводника изменяется вблизи границы раздела с диэлектриком вследствие изменения концентрации носителей заряда. На этом основана работа ряда приборов.

Рис. Схема МОП-транзистора.

Наиболее распространён кремниевый МОП-т р а н з и с т о р (металл — окисел металла — полупроводник). На подложке Si р-типа (рис.) окислением создаётся тонкий диэлектрич. слой двуокиси SiО2 (толщиной 1000 ?) и наносится металлич. электрод (з а т в о р). Под поверхностью диэлектрика в Si р-типа создаются на нек-ром: расстоянии друг от друга две области с электронной проводимостью, к к-рым подводятся металлич. контакты (исток и сток). Если к затвору приложить положит. потенциал, то все эл-ны под ним в Si (р) притянутся к тонкому слою диэлектрика, создав там проводящий инверсионный слой n-типа. В результате между стоком и истоком образуется канал, по к-рому течёт ток. Подобная система эквивалентна вакуумному триоду (исток — катод, сток — анод, затвор — сетка). Она может служить также элементом памяти. Для этого диэлектрик делается двухслойным — тонкий слой SiО2 и нитрида кремния. Электрич. заряд, введённый в Si, можно (с помощью нек-рых физ. процессов) перевести из Si в ловушки на границе окисел — нитрид. В этих ловушках заряд сохраняется длительно после снятия напряжения между затвором и подложкой (запоминание). Это состояние можно считывать по изменению свойств приповерхностной области подложки. М — Д — П-с.— один из базовых элементов твердотельной электроники. Они служат также для изучения поверхностных свойств полупроводников (вблизи его границы с диэлектриком).

Физический энциклопедический словарь. — М.: Советская энциклопедия. Главный редактор А. М. Прохоров. 1983.