Фототиристор

        Тиристор, перевод которого в состояние с высокой проводимостью осуществляется световым воздействием. При освещении Ф. в полупроводнике (См. Полупроводники) генерируются парные носители заряда (электроны и дырки), которые разделяются электрическим полем электронно-дырочных переходов (См. Электронно-дырочный переход) (см. Фотоэдс). В результате через р – n-переходы начинают протекать токи (фототоки), играющие роль токов управления.

         Конструктивно Ф. представляет собой светочувствительный монокристалл с р–n–р–n-cтруктурой, обычно из кремния (См. Кремний), расположенный на медном основании и закрытый герметичной крышкой с прозрачным для света окном. Наибольшее распространение получили конструкции с освещаемым n-эмиттером и с освещаемой р-базой.

         Пригодные для управления Ф. источники излучения – электрические лампы накаливания, импульсные газоразрядные лампы, светоизлучательные диоды, квантовые генераторы и др. Величина светового потока, необходимого для перевода Ф. в состояние с высокой проводимостью, характеризует чувствительность прибора; она определяется спектральным составом излучения, коэффициентом отражения и поглощения монокристалла, а также заданными значениями электрических параметров Ф.: напряжением переключения, скоростью нарастания прямого напряжения и т.д.

         Современные Ф. изготовляют на токи от нескольких ма до 500 а и напряжения от нескольких десятков в до 3 кв. Мощность управляющего светового излучения (при длине волны 0,9 мкм) порядка 1–10² мвт. Ф. находят применение в различных устройствах автоматического управления и защиты, а также в мощных высоковольтных преобразовательных устройствах,

         В. М. Курцин.