Тензорезистивный эффект

        изменение удельного электросопротивления твёрдого проводника (металла (См. Металлы), полупроводника (См. Полупроводники)) в результате его деформации. Величина относительного изменения компонент тензора электросопротивления Тензором деформации u_im через тензор четвёртого ранга l образца под действием приложенной нагрузки в определённом направлении, k порядка единицы, в полупроводниках (например, в Ge и Si) в десятки и сотни раз больше.

         Т. э. связан с изменением межатомных расстояний при деформации, что влечёт за собой изменение структуры энергетических зон кристалла. Последнее обусловливает изменение концентрации носителей тока (электронов проводимости, дырок), их эффективной массы, перераспределение их между энергетическими максимумами в зоне проводимости и минимумами в валентной зоне. Кроме того, деформация влияет на процессы рассеяния носителей (появление новых дефектов, изменение фононного спектра). Т. э. применяется в Тензодатчиках сопротивлений, служащих для измерения деформаций.

         Лит.: Блатт Фр. Д ж., Физика электронной проводимости в твердых телах, пер. с англ., М., 1971; Киреев П. С., Физика полупроводников, М., 1969: Ильинская Л. С., Подмарьков А. Н., Полупроводниковые тензодатчики, М.— Л., 1966; Глаговский Б. А., Пивен И. Д., Электротензометры сопротивления, 2 изд., Л., 1972.

         Б. А. Аронзон.