transistor à barrière de surface

  • 1transistor à barrière de surface — paviršinio barjero tranzistorius statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. surface barrier transistor vok. Oberflächenbarrierentransistor, m; Surface Barrier Transistor, m rus. поверхностно баръерный транзистор, m pranc. transistor à barrière… …

    Fizikos terminų žodynas

  • 2Surface-Barrier-Transistor — paviršinio barjero tranzistorius statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. surface barrier transistor vok. Oberflächenbarrierentransistor, m; Surface Barrier Transistor, m rus. поверхностно баръерный транзистор, m pranc. transistor à barrière… …

    Fizikos terminų žodynas

  • 3surface-barrier transistor — paviršinio barjero tranzistorius statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. surface barrier transistor vok. Oberflächenbarrierentransistor, m; Surface Barrier Transistor, m rus. поверхностно баръерный транзистор, m pranc. transistor à barrière… …

    Fizikos terminų žodynas

  • 4Transistor bipolaire a grille isolee — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… …

    Wikipédia en Français

  • 5Transistor bipolaire à grille isolée — Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme interrupteur électronique, principalement …

    Wikipédia en Français

  • 6Insulated Gate Bipolar Transistor — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… …

    Wikipédia en Français

  • 7Insulated gate bipolar transistor — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… …

    Wikipédia en Français

  • 8Oberflächenbarrierentransistor — paviršinio barjero tranzistorius statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. surface barrier transistor vok. Oberflächenbarrierentransistor, m; Surface Barrier Transistor, m rus. поверхностно баръерный транзистор, m pranc. transistor à barrière… …

    Fizikos terminų žodynas

  • 9paviršinio barjero tranzistorius — statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. surface barrier transistor vok. Oberflächenbarrierentransistor, m; Surface Barrier Transistor, m rus. поверхностно баръерный транзистор, m pranc. transistor à barrière de surface, m …

    Fizikos terminų žodynas

  • 10поверхностно-баръерный транзистор — paviršinio barjero tranzistorius statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. surface barrier transistor vok. Oberflächenbarrierentransistor, m; Surface Barrier Transistor, m rus. поверхностно баръерный транзистор, m pranc. transistor à barrière… …

    Fizikos terminų žodynas