schaltverhalten
41Hysteresiskurve — Hysterese, auch Hysteresis (griech.: hysteros = hinterher, später) charakterisiert ein System, dessen Ausgangsgröße nicht allein von der Art der Eingangsgröße abhängig ist, sondern auch von der Geschichte, welche die Eingangsgröße hatte. Das… …
42Hysteresisschleife — Hysterese, auch Hysteresis (griech.: hysteros = hinterher, später) charakterisiert ein System, dessen Ausgangsgröße nicht allein von der Art der Eingangsgröße abhängig ist, sondern auch von der Geschichte, welche die Eingangsgröße hatte. Das… …
43IGCT — Dieser Artikel wurde aufgrund von inhaltlichen Mängeln auf der Qualitätssicherungsseite des Portals Elektrotechnik eingetragen. Dies geschieht, um die Qualität der Artikel aus dem Themengebiet auf ein akzeptables Niveau zu bringen. Dabei werden… …
44IGCT-Thyristor — Dieser Artikel wurde aufgrund von inhaltlichen Mängeln auf der Qualitätssicherungsseite des Portals Elektrotechnik eingetragen. Dies geschieht, um die Qualität der Artikel aus dem Themengebiet auf ein akzeptables Niveau zu bringen. Dabei werden… …
45Input/Output Buffer Information Specification — Input Output Buffer Information Specification (kurz IBIS) ist eine Methode zur Beschreibung des Verhaltens von elektronischen Bauelementen. Sie ist als ANSI/EIA 656A standardisiert. Die erste Version des Standards wurde 1993 veröffentlicht,… …
46Leitungstreiber — Ein Verstärker ist ein Gerät oder eine Baugruppe, die ein eingehendes Signal so verarbeitet, dass Ausgangsspannung, Ausgangsstrom oder die Ausgangsleistung größer sind, als die entsprechenden Eingangsgrößen. Verstärker gibt es sowohl für… …
47MOS-FET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …
48MOS-Fet — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …
49MOSFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …
50Magnetische Hysterese — Hysterese, auch Hysteresis (griech.: hysteros = hinterher, später) charakterisiert ein System, dessen Ausgangsgröße nicht allein von der Art der Eingangsgröße abhängig ist, sondern auch von der Geschichte, welche die Eingangsgröße hatte. Das… …
