heterojunction interface

  • 1heterojunction interface — skiriamasis įvairialytės sandūros paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. heterointerface; heterojunction interface vok. Grenzschicht eines Heteroüberganges, f rus. поверхность раздела в гетеропереходе, f pranc. interface… …

    Radioelektronikos terminų žodynas

  • 2Heterojunction — A heterojunction is the interface that occurs between two layers or regions of dissimilar crystalline semiconductors. These semiconducting materials have unequal band gaps as opposed to a homojunction. It is often advantageous to engineer the… …

    Wikipedia

  • 3interface de hétérojonction — skiriamasis įvairialytės sandūros paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. heterointerface; heterojunction interface vok. Grenzschicht eines Heteroüberganges, f rus. поверхность раздела в гетеропереходе, f pranc. interface… …

    Radioelektronikos terminų žodynas

  • 4Organic solar cell — An organic photovoltaic cell (OPVC) is a photovoltaic cell that uses organic electronics a branch of electronics that deals with conductive organic polymers or small organic molecules[1] for light absorption and charge transport. The plastic… …

    Wikipedia

  • 5Grenzschicht eines Heteroüberganges — skiriamasis įvairialytės sandūros paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. heterointerface; heterojunction interface vok. Grenzschicht eines Heteroüberganges, f rus. поверхность раздела в гетеропереходе, f pranc. interface… …

    Radioelektronikos terminų žodynas

  • 6heterointerface — skiriamasis įvairialytės sandūros paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. heterointerface; heterojunction interface vok. Grenzschicht eines Heteroüberganges, f rus. поверхность раздела в гетеропереходе, f pranc. interface… …

    Radioelektronikos terminų žodynas

  • 7skiriamasis įvairialytės sandūros paviršius — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. heterointerface; heterojunction interface vok. Grenzschicht eines Heteroüberganges, f rus. поверхность раздела в гетеропереходе, f pranc. interface de hétérojonction, f …

    Radioelektronikos terminų žodynas

  • 8поверхность раздела в гетеропереходе — skiriamasis įvairialytės sandūros paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. heterointerface; heterojunction interface vok. Grenzschicht eines Heteroüberganges, f rus. поверхность раздела в гетеропереходе, f pranc. interface… …

    Radioelektronikos terminų žodynas

  • 9Copper indium gallium selenide solar cells — Copper indium gallium selenide (CuIn1 xGaxSe2 or CIGS) is a direct bandgap semiconductor useful for the manufacture of solar cells. Because the material strongly absorbs sunlight, a much thinner film is required than of other semiconductor… …

    Wikipedia

  • 10Photoconductive atomic force microscopy — (pc AFM) is a scientific technique.. Multi layer photovoltaic cells have gained popularity since mid 1980s.[1] At the time, research was primarily focused on single layer photovoltaic (PV) devices between two electrodes, in which PV properties… …

    Wikipedia