epitaxial junction
1epitaxial junction — epitaksinė sandūra statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. epitaxial junction vok. Epitaxialübergang, m rus. эпитаксиальный переход, m pranc. jonction épitaxiale, f …
2Bipolar junction transistor — BJT redirects here. For the Japanese language proficiency test, see Business Japanese Proficiency Test. PNP …
3Magnetic Tunnel Junction — Magnetischer Tunnelkontakt (schematisch) Der magnetische Tunnelwiderstand (engl. Tunnel Magneto Resistance, Abk: TMR) ist ein magnetoresistiver Effekt, der in magnetischen Tunnelkontakten auftritt. Dabei handelt es sich um ein Bauelement… …
4Epitaxialübergang — epitaksinė sandūra statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. epitaxial junction vok. Epitaxialübergang, m rus. эпитаксиальный переход, m pranc. jonction épitaxiale, f …
5epitaksinė sandūra — statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. epitaxial junction vok. Epitaxialübergang, m rus. эпитаксиальный переход, m pranc. jonction épitaxiale, f …
6jonction épitaxiale — epitaksinė sandūra statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. epitaxial junction vok. Epitaxialübergang, m rus. эпитаксиальный переход, m pranc. jonction épitaxiale, f …
7эпитаксиальный переход — epitaksinė sandūra statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. epitaxial junction vok. Epitaxialübergang, m rus. эпитаксиальный переход, m pranc. jonction épitaxiale, f …
8эпитаксиальный переход — Электрический переход, образованный эпитаксиальным наращиванием. Примечание Эпитаксиальное наращивание создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки. [ГОСТ 15133 77] Тематики… …
9materials science — the study of the characteristics and uses of various materials, as glass, plastics, and metals. [1960 65] * * * Study of the properties of solid materials and how those properties are determined by the material s composition and structure, both… …
10Power MOSFET — A Power MOSFET is a specific type of Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) designed to handle large power. Compared to the other power semiconductor devices (IGBT, Thyristor...), its main advantages are high commutation speed …
