buried-channel mos
1buried-channel MOS structure — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… …
2buried-channel MOS transistor — MOP tranzistorius su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel MOS transistor vok. MOS Feldeffekttransistor mit vergrabenem Kanal, m rus. МОП транзистор со скрытым каналом, m pranc. transistor MOS à… …
3buried-channel metal-oxide-semiconductor — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… …
4MOS-Struktur mit vergrabenem Kanal — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… …
5MOS-Feldeffekttransistor mit vergrabenem Kanal — MOP tranzistorius su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel MOS transistor vok. MOS Feldeffekttransistor mit vergrabenem Kanal, m rus. МОП транзистор со скрытым каналом, m pranc. transistor MOS à… …
6structure MOS à canal caché — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… …
7transistor MOS à canal caché — MOP tranzistorius su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel MOS transistor vok. MOS Feldeffekttransistor mit vergrabenem Kanal, m rus. МОП транзистор со скрытым каналом, m pranc. transistor MOS à… …
8Dead and Buried (Bernice Summerfield) — Dead and Buried intro Production Writer Eddie Robson, John Ainsworth, Alex Mallinson …
9MOP darinys su paslėptuoju kanalu — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit vergrabenem Kanal, f rus. МОП структура… …
10Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur mit vergrabenem Kanal — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… …
