эмиттер-база
1Пробивное напряжение эмиттер-база — 11. Пробивное напряжение эмиттер база D. Emitter Basis Durchbruchspannung E. Breakdown emitter base voltage F. Tension de claquage émetteur base UЭБОпроб Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе… …
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
2плавающее напряжение эмиттер-база — Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор база и при токе эмиттера, равном нулю. Обозначение UЭБпл UEBfl [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN floating emitter base voltage FR tension… …
3Плавающее напряжение эмиттер-база — 9. Плавающее напряжение эмиттер база E. Floating emitter base voltage F. Tension flottante émetteur base UЭБпл Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор база и при токе эмиттера, равном нулю Источник:… …
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
4переход эмиттер-база — emiterio sandūra statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. emitter junction; emitter base junction vok. Emitter Basis Übergang, m; Emitterübergang, m rus. переход эмиттер база, m; эмиттерный переход, m pranc. jonction émetteur base, f …
5максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база — Обозначение UЭБ max UEB max Примечание Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная… …
6постоянное напряжение эмиттер-база — Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы. Обозначение UЭБ UEB Примечание При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБО , UEBO. [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN emitter base (d.с.)… …
7пробивное напряжение эмиттер-база — Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю. Обозначение UЭБОпроб U(BR)EBO [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN breakdown emitter base… …
8пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора — Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Обозначение Uбпрэ UBR EBO Примечание На ФЭПП может действовать равновесное… …
9темновой ток эмиттер-база фототранзистора — Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Обозначение IбТ Э IEBO Примечание На ФЭПП может действовать… …
10Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база — 73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер база D. Maximal zulässige Emitter Basis Gleichspannung E. Maximum emitter base (d.c.) voltage F. Tension continue émetteur base maximale IЭБ max Источник: ГОСТ 20003 74: Транзисторы… …
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
