четырёхслойный транзистор

  • 1четырёхслойный транзистор — ketursluoksnis tranzistorius statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. four layer transistor vok. Vierschichtentransistor, m; Vierschichttransistor, m rus. четырёхслойный транзистор, m pranc. transistor à quatre couches, m …

    Fizikos terminų žodynas

  • 2Изобретение интегральной схемы — Основная статья: Интегральная схема Идею интеграции множества стандартных электронных компонентов в монолитном кристалле полупроводника впервые предложил в 1952 году британский радиотехник Джеффри Даммер[en]. Год спустя Харвик Джонсон подал… …

    Википедия

  • 3Vierschichtentransistor — ketursluoksnis tranzistorius statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. four layer transistor vok. Vierschichtentransistor, m; Vierschichttransistor, m rus. четырёхслойный транзистор, m pranc. transistor à quatre couches, m …

    Fizikos terminų žodynas

  • 4Vierschichttransistor — ketursluoksnis tranzistorius statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. four layer transistor vok. Vierschichtentransistor, m; Vierschichttransistor, m rus. четырёхслойный транзистор, m pranc. transistor à quatre couches, m …

    Fizikos terminų žodynas

  • 5four-layer transistor — ketursluoksnis tranzistorius statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. four layer transistor vok. Vierschichtentransistor, m; Vierschichttransistor, m rus. четырёхслойный транзистор, m pranc. transistor à quatre couches, m …

    Fizikos terminų žodynas

  • 6ketursluoksnis tranzistorius — statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. four layer transistor vok. Vierschichtentransistor, m; Vierschichttransistor, m rus. четырёхслойный транзистор, m pranc. transistor à quatre couches, m …

    Fizikos terminų žodynas

  • 7transistor à quatre couches — ketursluoksnis tranzistorius statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. four layer transistor vok. Vierschichtentransistor, m; Vierschichttransistor, m rus. четырёхслойный транзистор, m pranc. transistor à quatre couches, m …

    Fizikos terminų žodynas

  • 8Шокли, Уильям Брэдфорд — Уильям Брэдфорд Шокли англ. William Bradford Shockley Шокли в 1975 году Дата рождения: 13 февраля 1 …

    Википедия

  • 9Тиристор — Обозначение на схемах Тиристор  полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p n переходами и имеющий два устой …

    Википедия