примесных атомов

  • 71РАДИАЦИОННОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ — совокупность методов для: 1) создания материалов (конструкционных, полимерных, ПП и др.), устойчивых к воздействию яд. излучений; 2) придания материалам нужных св в путём их дозированного облучения. Радиационные дефекты способны изменить объёмные …

    Физическая энциклопедия

  • 72СИЛЬНОЛЕГИРОВАННЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК — полупроводник с очень большой концентрацией примесей (или структурных дефектов крист. решётки), когда расстояние между соседними примесными атомами столь мало, что перекрываются их силовые поля и волновые функции локализованных вблизи них… …

    Физическая энциклопедия

  • 73ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД — (р n переход), область полупроводника, в к рой имеет место пространств. изменение типа проводимости от электронной n к дырочной p. Т. к. в р области Э. д. п. концентрация дырок гораздо выше, чем в n области, дырки из р области стремятся… …

    Физическая энциклопедия

  • 74ПРИМЕСОН — квазичастица, характеризующая поведение примесного атома в квантовых кристаллах. Вследствие большой величины амплитуды нулевых колебаний атомов в квантовых кристаллах любые точечные дефекты решётки, в т. ч. примесные атомы, при низких темп pax… …

    Физическая энциклопедия

  • 75ФЛИККЕР-ЭФФЕКТ — (от англ. flicker мерцание) (мерцание катода), флуктуации эмиссии электронов с поверхности накалённого катода, возникающие вследствие испарения атомов, диффузии их к поверхности, появления на поверхности катода примесных атомов. Ф. э. один из… …

    Естествознание. Энциклопедический словарь

  • 76Диффузия — Проверить информацию. Необходимо проверить точность фактов и достоверность сведений, изложенных в этой статье. На странице обсуждения должны быть пояснения …

    Википедия

  • 77первоначальное возникновение дислокации в процессе кристаллизация — Первоначально дислокации возникают в процессе кристаллизации и оказывают существенное влияние практически на все свойства материала. Кроме того, дислокации принимают участие в таких процессах, как рекристаллизация и фазовые превращения, где… …

    Справочник технического переводчика

  • 78ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ — (ионная имплантация) введение посторонних (примесных) атомов внутрь твердого тела путем бомбардировки его ионами; способ легирования полупроводников …

    Большой Энциклопедический словарь

  • 79ЛЕГИРОВАНИЕ — (нем. legieren сплавлять от лат. ligo связываю, соединяю), 1) Введение в состав металлических сплавов т. н. легирующих элементов (напр., в сталь Cr, Ni, Mo, W, V, Nb, Ti и др.) для придания сплавам определенных физических, химических или… …

    Большой Энциклопедический словарь

  • 80Декорирование —         экспериментальный метод обнаружения дислокаций (См. Дислокации) в кристаллах, заключающийся в химической или термической обработке кристалла, в результате которой в объёме кристалла вдоль линий дислокаций выделяются маленькие, но видимые… …

    Большая советская энциклопедия