напряжение насыщения фотоэлемента
1напряжение насыщения фотоэлемента — Минимальное значение напряжения питания фотоэлемента, увеличение которого не вызывает существенного изменения фототока фотоэлемента при постоянном световом или лучистом потоке, падающем на фотокатод. [ГОСТ 20526 82] Тематики электровакуумные… …
2Напряжение насыщения фотоэлемента — 20. Напряжение насыщения фотоэлемента D. Sättigungsspannung der Photozelle E. Saturation voltage of photocell F. Tension de saturation de photocellule Минимальное значение напряжения питания фотоэлемента, увеличение которого не вызывает… …
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
3напряжение — 3.10 напряжение: Отношение растягивающего усилия к площади поперечного сечения звена при его номинальных размерах. Источник: ГОСТ 30188 97: Цепи грузоподъемные калиброванные высокопрочные. Технические условия …
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
4ГОСТ 20526-82: Приборы электровакуумные фотоэлектронные. Термины и определения — Терминология ГОСТ 20526 82: Приборы электровакуумные фотоэлектронные. Термины и определения оригинал документа: 43. Амплитудно частотная характеристика фотоумножителя D. Amplitudenfrequenzcharakteristik des Photovervielfachers E.… …
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
5время — 3.3.4 время tE (time tE): время нагрева начальным пусковым переменным током IА обмотки ротора или статора от температуры, достигаемой в номинальном режиме работы, до допустимой температуры при максимальной температуре окружающей среды. Источник …
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
6ток — ((continuous) current carrying capacity ampacity (US)): Максимальное значение электрического тока, который может протекать длительно по проводнику, устройству или аппарату при определенных условиях без превышения определенного значения их… …
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
7p - n-ПЕРЕХОД — (электронно дырочный переход) слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n область) и дырочной ( р область) проводимостью. Различают гомопереход, получающийся в результате… …
