моп
71двухдиффузионный МОП-транзистор — dvikartinės difuzijos MOP tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double diffused MOS field effect transistor; double diffused MOS transistor vok. doppeldiffundiertes MOS Transistor, m; Doppeldiffusion MOS Transistor,… …
72двухдиффузионная МОП-структура с V-образной канавкой — dvikartinės difuzijos MOP darinys su V grioveliais statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. V groove double diffused MOS; V groove double diffused MOS structure vok. Doppeldiffusions V Graben MOS Struktur, f rus. двухдиффузионная МОП …
73технология производства высококачественных МОП-структур — kokybiškųjų MOP darinių technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high performance MOS technology vok. Hochleistungs MOS Technologie, f rus. технология производства высококачественных МОП структур, f pranc. technologie… …
74высоковольтный МОП-транзистор — aukštosios įtampos MOP tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high voltage MOS transistor vok. Hochspannungs MOS Transistor, m rus. высоковольтный МОП транзистор, m pranc. transistor MOS à haute tension, m …
75ионное легирование для формирования МОП-структур — jonpluoštis MOP darinių legiravimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. MOS ion implantation vok. Ionenimplantation zur Erzeugung von MOS Strukturen, f rus. ионное легирование для формирования МОП структур, n pranc. implantation …
76ионно-имплантированный МОП-прибор — jonais implantuotas MOP įtaisas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted MOS device vok. Ionenimplantations MOS Gerät, n rus. ионно имплантированный МОП прибор, m pranc. dispositif MOS à implantation ionique, m …
77нагрузочный МОП-транзистор — apkrovos MOP tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. load MOS transistor vok. Last MOS Transistor, m rus. нагрузочный МОП транзистор, m pranc. transistor MOS de charge, m …
78технология МОП-структур с металлическими затворами — MOP darinių su metalinėmis užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal gate MOS technique vok. Metallgate MOS Technik, f rus. технология МОП структур с металлическими затворами, f pranc. technologie de… …
79технология n-канальных МОП-структур — MOP darinių su n kanalu technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n MOS technology vok. n MOS Technologie, f rus. технология n канальных МОП структур, f pranc. technologie n MOS, f …
80технология МОП-структур с плавающими кремниевыми затворами — MOP darinių su plūdriosiomis silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon floating gate MOS process vok. MOS Technik mit schwebendem Siliziumgate, f rus. технология МОП структур с плавающими… …