моп
41МОП-структура с высоким пороговым напряжением — aukšto įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high threshold MOS; high threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit hohem Schwellwert, f rus. МОП структура с высоким пороговым напряжением, f pranc.… …
42МОП-структура с низким пороговым напряжением — žemo įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. low threshold MOS; low threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit niedriger Schwellspannung, f rus. МОП структура с низким пороговым напряжением, f pranc …
43МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения — nuskurdintosios veikos MOP tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. depletion MOS transistor vok. MOS Transistor im Verarmungsbetrieb, m rus. МОП транзистор, работающий в режиме обеднения, m pranc. transistor MOS à… …
44МОП-структура типа кремний на сапфире — silicio MOP darinys ant safyro statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal oxide semiconductor/silicon on sapphire structure; MOS on sapphire structure vok. MOS/Silizium auf Saphir Struktur, f rus. МОП структура типа кремний на… …
45МОП-структура с изоляцией из Аl₂О₃ и SiО₂ — metalo aliuminio ir silicio oksidų puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal alumina oxide semiconductor structure vok. Metall Al₂O₃ SiO₂ Struktur, f; Metall Aluminiumoxid und Siliziumoxid Struktur, f rus …
46МОП-транзистор с субмикронными размерами — submikrometrinis MOP tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. submicron scale MOS transistor vok. Submikrometer MOS Transistor, m rus. МОП транзистор с субмикронными размерами, m pranc. transistor MOS à l échelle… …
47МОП-транзистор с вертикальной структурой — stačiasis MOP tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vertical MOS transistor vok. Vertikal MOS Transistor, m rus. МОП транзистор с вертикальной структурой, m pranc. transistor MOS à structure verticale, m …
48МОП-структура с двойной ионной имплантацией — dukart jonais implantuotas MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double implanted MOS; double implanted MOS structure vok. doppelimplantierte MOS Struktur, f rus. МОП структура с двойной ионной имплантацией, f pranc.… …
49МОП — металло оксидный полупроводник …
Универсальный дополнительный практический толковый словарь И. Мостицкого
50МОП — Международная организация предпринимателей Международное общество почвоведов международное объединение профсоюзов младший обслуживающий персонал Московское областное правление мощный отвальный плуг (структура) металл оксид полупроводник …